Fonte de alimentação MOSFET de componentes eletrônicos SVF8N60T/ F

• forma: MERGULHO
• Tipo condutora: Circuito Integrado unipolar
• Integração: LSI
• técnica: Thin Film IC
• Application: Standard Generalized Integrated Circuit
• Type: Digital / Analog IC
• N ° de Modelo.: SVF8N60T/ F
• cor: preto
• Pacote de Transporte: Carton
• Especificação: AC 85-265V
• Marca Registrada: Silan
• Origem: China
• Código HS: 8542399000
• Capacidade de Produção: 10000000

Descrição de Produto

- Folha de Dados
 

*    Descrição geral

SVF8N60T/F é um modo de melhoramento de canal N power MOS transistor de efeito de campo que é  Produzido usando a propriedade Silan F-Cell TM  VDMOS estrutura de  Tecnologia.

A  Melhor  Faixa planar célula e o terminal do anel de proteção melhorada foram especialmente  Concebidos  Para  Minimizar  A  Resistência do estado, fornecem      Desempenho de comutação superior e  Suportar o    Pulso de alta energia na avalanche e modo de comutação.

Estes dispositivos são amplamente utilizadas em fornecedores de energia AC-DC, conversores DC-DC e PWM ponte H drivers do motor



* Recursos

1.	8A, 600V, RDS(ligado)(tip. )=0, 96@VGS=10V Baixa carga de bico valvulado
2.	Os Sir baixa
3.	A comutação rápida
4.	Melhor capacidade de dv/dt

 

* Esquema de aplicação típica
 

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Regista

* As fotografias são tomadas pela câmara.
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