Fonte de alimentação dos componentes eletrônicos SVF7N60T/F/S/K/MJ/D MOSFET

• forma: MERGULHO
• Tipo condutora: Circuito Integrado unipolar
• Integração: LSI
• técnica: Thin Film IC
• cor: preto
• Pacote de Transporte: Carton
• N ° de Modelo.: SVF7N60T/F/S/K/MJ/D
• Especificação: AC 85-265V
• Marca Registrada: Silan
• Origem: China
• Código HS: 8542399000
• Capacidade de Produção: 10000000

Descrição de Produto

- Folha de Dados
 

*  Descrição geral

SVF7N60T/F/S/K/MJ/D é um   modo de melhoramento de canal N power MOS transistor de efeito de campo que é produzido usando Silanproprietary CellTMstructure tecnologia VDMOS F.   

A melhor  faixa planar célula e o   terminal do anel de proteção melhorada foram  especialmente concebidos para minimizar a resistência do estado, fornecem     desempenho de comutação superior e suportar o pulso de alta energia na avalanche e modo de comutação.

Estes dispositivos são amplamente utilizadas em fornecedores de energia AC-DC, conversores DC-DC e PWM ponte H drivers do motor



* Recursos

1.	7A,600V,RDS(ligado)(tip.)=0,96@VGS=10V Baixa carga de bico valvulado
2.	Os Sir baixa
3.	A comutação rápida
4.	Melhor capacidade de dv/dt

 

* Esquema de aplicação típica
 

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Regista

* As fotografias são tomadas pela câmara.
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