Três Zonas de temperatura Pecvd Graphene Preparação

• After-sales Service: Online Video
• Warranty: 1 Year
• Application: School, Hospital, Lab
• Customized: Customized
• Certification: CE
• Structure: Desktop
• N ° de Modelo.: CY-PECVD-T01
• Material: Stainless Steel
• Type: Tubular Furnace
• forno de tubo de vácuo: quartzo de elevada pureza
• diâmetro do tubo: 50 mm
• comprimento da zona de aquecimento: 400 mm
• temperatura de funcionamento: 0-1100c
• rf: 0.005%
• sistema de fornecimento de gás: debitómetro mássico de gás
• precisão da medição: Mais de -0.2%
• vácuo máximo: 1,0e-1pa
• bomba de palheta rotativa: 1,1l/s
• Pacote de Transporte: Standard Export Fumigation Sign Wooden Box Packagi
• Especificação: PECVD furnace
• Marca Registrada: CYKY
• Origem: Zhengzhou Henan China
• Capacidade de Produção: 100 Sets Per Month

Descrição de Produto

Três zonas de temperatura PECVD graphene preparação da máquina com13.56 Mhz RF


descrição do Produto  de plasma máquina graphene DCV aprimorada
O melhoramento de plasma DCV sistema consiste de gerador de plasma, três-temperatura do forno tubular, alimentação de energia de freqüência de rádio e sistema de vácuo. Sistema de DCV aprimorada de plasma para tornar a reacção química em baixas temperaturas, a utilização da atividade plasmática para promover a reacção, de modo a DCV é chamado plasma método de deposição de vapores químicos melhorada (PECVD), o equipamento de preparação de filme graphene PECVD com a saída de frequência de rádio de 13.56Mhz átomos de filme-ionização do gás, formando o plasma, utilizando o plasma forte actividade química, melhorar as condições de reacção, utilizando a atividade de plasma para promover a reacção, depositar o filme desejado no substrato.
Área de aplicação PECVD:
Sistema de DCV aprimorado de plasma pode ser usado em: graphene preparação, preparação de sulfureto de nanomateriais preparação e outros locais de ensaio. SiNx SiOx,,, de silício amorfo, nanosilicon silício microcristalina, SiC, filmes de diamante pode ser depositado na superfície da folha ou formas semelhantes e tipo-P e N-tipo filmes dopada pode ser depositado. Os filmes depositados têm boa uniformidade, aperto, aderência, e o isolamento. É amplamente utilizado na ferramenta de corte, molde de alta precisão, revestimento duro, alta duan decoração e outros campos

Os parâmetros técnicos de plasma máquina graphene DCV aprimorada

Nome do produto	PECVD
O modelo do produto	CY-PECVD-T01
Área de temperatura três fornos do tubo	Temperatura operacional: 0-1100ºC A precisão do controle de temperatura: ± 1ºC Modo de controle de temperatura: AI-PID 30 secção curva do processo, que pode armazenar várias peças O material do tubo da fornalha: quartzo de alta pureza Tamanho do tubo da fornalha: φ 50mm I.D x 1400mm L Área de temperatura de aquecimento: 200mm + 200mm + 200mm em três áreas de temperatura Método de vedação do flange de vácuo em aço inoxidável O vácuo máximo grau: 4.4E-3Pa
Fonte de alimentação de RF	Potência de saída:, 0-300 W ajustável máxima de ± 1% Freqüência de RF: 13.56MHz, estabilidade ± 0,005% Ruído:≤55DB Refrigeração: refrigeração de ar
Debitómetro de massa	Debitómetro de massa de três vias Tipo de Válvula: válvula de agulha de aço inoxidável Número de estradas de ar: três estradas Intervalo de pressão: -0.15Mpa~0,15 Mpa Variedade 1~200 SCCM 1~200 SCCM 1~500 SCCM Faixa de controle de fluxo: ± 1,5% Caminho de gases Material: aço inoxidável 304 Interface do tubo: 6,35mm conector da luva do cartão
Depressão e sub-sistema atmosférica	Equipado com um sistema de bomba molecular usando a operação de um clique 600 L/S
Sistema de refrigeração a água	CW-3200
A tensão	220V 50Hz

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