Função: | Armazenamento de Vasos de Pressão |
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Aplicação: | Gas |
Material: | Aço Inoxidável |
Pressão: | 10,0MPa≤p<100,0MPa |
Dispositivo de Armazenamento: | Food Grade CO2 |
Nível de Pressão: | Pressão Alta (10,0MPa≤p<100,0MPa) |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
1. A aplicação e detalhes específicos De gases | ||||
Pressao elevada pureza(o) | ||||
Principais Aplicações: Utilizado No Estudo Do Controlador de Temperatura, Análise de cromatografia de gases de Soldadura de metais não ferrosos, Fuga, Deposição em fase gasosa química, Crescimento de cristal, A Configuração Do Plasma Seco, Mistura especial, Utilizada Como Padrão de Gás, Equilíbrio de gás, Gases medicinais, Balão inflável, Tubo, Fatos de mergulho ... |
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O Nome Do Gás | Especificações | Teor de impurezas(10-6) | Número padrão | |
Ele | 99, 999% | Ne≤4 Ó2≤1, 0 H2≤1 N2≤2 CO≤0, 5 CO2≤0, 5 CH4≤0, 5 H2O≤3 | GB/T48443-1995 | |
99, 995% | Ne≤ 15 Ó2≤3 H2≤3 N2≤ 10 CO≤1 CO2≤1 CH4≤1 H2O≤ 10 | GB/T48442-1995 | ||
O óxido nitroso (N2O) | ||||
Objetivo: 1. A Medicina: Pressão arterial reguladora imune, Transmissão nervosa, Regulação fisiológica E Função fisiológica Como A inibição Da Agregação plaquetária 2. Os Campos de Petroquímica: No Domínio Da Indústria petroquímica Para Desenvolver Novos Aplicativos, Utilizado Na Reação de polimerização Rescisão 3. Outras Áreas: Refrigerantes Accelerant, Conservantes, Matérias- Primas químicas, Espectrometria de absorção atómica Com Gás, Fabricação de semicondutores Com Injeção de gás de equilíbrio , agente de Oxidação, Gás padrão E a Fumaça, Cassete de detecção de vazamento de pressão de vácuo de Agente, Etc |
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O Nome Do Gás | Especificações | Teor de impurezas(10-6) | Número padrão | |
N2O | 99, 9%/99, 999% | CO≤5 CO2≤ 10 ≤Halogéneo 0, 2 a Humidade≤100 N, N2≤0, 5 NH3≤5 | CP2005 & T/H3901-1999 | |
Pureza elevada Argon. Ar) | ||||
Objetivo: Utilizado Para Soldar, Fabricação de aço inoxidável E Fusão De Metais não ferrosos, Também Utilizado No Processo de fabricação de semicondutores A deposição de vapores inchemical, Campo de som Crystal, Forte Oxidação, Extensão, Difusão , de silício policristalino Tungsten, Implantação iónica Sinterização, Etc. Usado Como Um Gás padrão, Gás de equilíbrio zero, Gás, Cromatografia Gás portador, Etc |
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O Nome Do Gás | Especificações | Teor de impurezas(10-6) | Número padrão | |
Ar | 99.9993% | N2≤4 Ó2≤1 H2≤1 THC≤1 H2O≤2.6 | GB4842-2006/T | |
99, 999% | N2≤ 5 2≤2 H2≤1 THC≤2 H2O≤4 | |||
O dióxido de carbono de elevada pureza | (CO2) | |||
Objetivo: Laser, Indústria electrónica, líquido de Arrefecimento do reactor de Investigação científica, Etc | ||||
O Nome Do Gás | Especificações | Teor de impurezas(10-6) | Número padrão | |
CO2 | 99, 99% | H2≤ 50 Ó2≤ 10 N2≤ 50 CO≤5 THC≤5 H2O≤ 15 | O Padrão da empresa | |
99, 995% | H2≤ 20 Ó2≤5 N2≤ 30 CO≤2 THC≤3 H2O≤8 | |||
99, 999% | H2≤ 5 2≤1 N2≤3 CO≤0, 5 THC≤2 H2O≤3 |
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