Tiristor Fuanshi Avançado para Sistemas de Gerenciamento de Energia Confiáveis

• Costumização: Disponível
• Aplicação: Detector, Díodo, Controlador de Display LCD, Componentes Eletrônicos de Potência, Rádio, Frigorífico, Célula solar, Televisão, Medição de Temperatura
• Número do lote: 2023+
• N ° de Modelo.: MT106/16E
• Certificação: CCC, CE
• Tecnologia de Manufatura: Dispositivo de Circuitos Integrados
• Material: Semicondutor de potência
• Model: Mt57/16e
• Pacote: vedação de plástico
• Processamento de Sinal: Analog Digital Composite and Function
• Pacote de Transporte: caixa de papel
• Especificação: 20cm*12cm*5cm
• Marca Registrada: fuanshi
• Origem: China
• Código HS: 8541300000

Descrição de Produto

 

Parâmetros	Símbolo	Condições de ensaio	Valores	Unidade
Indicar a intensidade média	Se(AV)	Fase única de meia-onda ,180°realização Tc=85ºC	110	Um
Proteção contra corrente de avanço	IFSM	T = 10mS TJ =45ºC	2250	Um
O máximo de I2t para fusing	I2t	T = 10mS TJ =45ºC	25000	A2s
Tensão de ruptura de isolamento(R.M.S)	Visol	Ac.50HZ;R.M.S;1min	2500	V
		Ac.50HZ;R.M.S;1 seg	3500	V
Temperatura Juntion operacional	TJ		-40~+125	ºC
Temperatura de armazenamento	Tstg		-40~+125	ºC
O Torque de Montagem	Mt	Aos terminais(M5)	3±15%	Nm
	Ms	Para dissipador(M6)	5±15%

Módulo(aproximadamente)

Peso

100

G

Características eléctricas
Parâmetros	Símbolo	Condições de ensaio	Valores			Unidade
			Min.	Typ.	Max.
Queda de tensão máxima de avanço	VFM	T = 25ºC se =110A	-	1.05	1.2	V
Corrente de pico inversa repetitiva máxima	IRRM	TJ=25ºC=VRRM VRD	-	-	100	UA
		TJ=150ºC=VRRM VRD	-	-	5	MA

As características térmicas
Parâmetros	Símbolo	Condições de ensaio	Valores	Unidade
Térmico interno máximo Resistência à caixa de junção, por perna	Rth(J-C)	Por diodo	0.26	ºC/W
Resistência térmica típico, caso a O dissipador de calor por módulo	Rth(C-S)	Module	0.10	ºC/W

Valores nominais máximos
Parâmetros	Símbolo	Condições de ensaio	Valores	Unidade
Corrente On-State médio	ITAV	Seno 180ºC;TC=85ºC	110	Um
Proteção contra corrente de avanço	ITSM	T = 10ms TJ=45ºC	2250	Um
		T = 10ms TJ=125ºC	1900
MaximumI2tfor  fusing	I2t	T = 10ms TJ=45ºC	25000	A2s
		T = 10ms TJ=125ºC	18000
Tensão de ruptura de isolamento(R.M.S)	Visol	AC 50Hz; R.M.S.; 1min	2500	V
		Ac.50HZ;R.M.S;1 seg	3500	V
Temperatura Juntion operacional	TJ		-40~+125	ºC
Temperatura de armazenamento	Tstg		-40~+125	ºC
O Torque de Montagem	Mt	Aos terminais(M5)	3±15%	Nm
	Ms	Para dissipador(M6)	5±15%
Não repetitivo máxima da taxa de subida da corrente ligada	Di/dt	TJ=25ºC de 0.67VDRM , A ITM=π×(AV) ,Ig=500mA  tr<0.5US Tp>6us	150	Um/US
Crítica máxima da taxa de subida do	Dv/dt	TJ = 125ºC,VD=2/3VDRM	1000	V/US

Tensão de estado de desligado
Aceleração máxima admissível	Um		50	M/s2

Características eléctricas
Parâmetros	Símbolo	Condições de ensaio	Valores			Unidade
			Min.	Typ.	Max.
Tensão On-State pico máximo	A VTM	A ITM =110A TJ=25ºC			1.25	V
Máximo de corrente de pico inversa repetitiva/ repetitiva máxima Desligar a corrente de estado	IRRM/ IDRM	TJ=125ºC=VRRM VRD			20	MA
No estado de tensão de limiar	VTO	Para os cálculos de perda de energia apenas TJ=125ºC			0.9	V
Valor máximo de inclinação do estado Resistência	RT	TJ=125ºC			2.0	MΩ
A tensão da porta máximo necessário para Disparar	O VGT	TJ=25ºC,VD=6V			3	V
Porta máxima corrente necessária para Disparar	IGT	TJ=25ºC,VD=6V			150	MA
O Máximo de tensão da porta que não Disparar	VGD	TJ=125ºC,VD=2/3VDRM			0.25	V
Porta máxima corrente que não Disparar	IGD	TJ=125ºC,VD=2/3VDRM			6	MA
Máximo de corrente de travamento	IL	TJ=25ºC,IG=1.2IGT		250	600	MA
Máximo de corrente de espera	Case IH	TJ=25ºC,IT=1A		200	250	MA
Tempo de atraso controladas de bico valvulado	Tgd	TJ=25ºC,IG=1A ,diG/dt = 1A / EUA	1			Nós
Gircuit commutated tempo de desligamento	Tq	TJ=125ºC	250			Nós

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