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O arsenieto de gálio wafer de GaAs/nitreto de gálio Wafer GaN /fosforeto de gálio Wafer Gap

Tipo: gaa de arseneto de gálio
produto: gaa de arseneto de gálio
pureza: 6n/8n
Pacote de Transporte: Carton Box
Especificação: 6N-8N
Marca Registrada: PMP

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Fabricante / Fábrica, Empresa Comercial

Informação Básica.

N ° de Modelo.
6N-8N
Origem
China
Capacidade de Produção
100mt/Year

Descrição de Produto

O arseneto de gálio GaAs preço policristalino Introdução ao produto Aluminatos de métodos: método de nível (HB) Uso: Pode ser utilizado para o diodo emissor de luz (LED), diodo de laser (LD), e as células solares em áreas tais como o arsenieto de gálio cristal único de produção. O arsenieto de gálio material policristalino métricas de desempenho As matérias-primas a pureza superior a 6 n e do tipo condutiva N Mobilidade(cm2/Vs):3500--4500 Concentração do transportador(cm-3):1,0×1016~1.0×1017 A aparência do produto:D glyph Tamanho:sobre 60 mm x 45 mm x 330 mm de comprimento Processo pode ser elevada pureza que o gálio (6 n e 7 n) e arsénio (6 n e 7 n) que contém uma pequena quantidade de impureza no complicado para material de cristal da extremidade do fuso (cauda foi removida antes de fornecer ao usuário), de forma a melhorar ainda mais a pureza dos produtos policristalinos materiais, é útil para melhorar o seguimento em cristalina de arsenieto de gálio cristal único da taxa de crescimento e de qualidade. Temos também de metal de gálio, arsenieto de gálio GaAs cristal único ,GaAs polycrystal ,wafer asga ,wafer GaN,espaço,bolachas de óxido de gálio com alto grau de pureza.        

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Capital Registrada
500000 RMB
Área da Planta
101~500 Metros Quadrados