Transístor MOSFET IC 2n7002khe3-TP N-Channel 60 V 340 mA 350 MW SMD SOT-23

• forma: Plano
• Tipo condutora: Circuito Integrado unipolar
• Integração: GSI
• técnica: Thick Film IC
• pacote: sot-23
• tipo de montagem: montagem saliente
• N ° de Modelo.: 2N7002KHE3-TP
• descrição: chip de circuito integrado
• aplicações: transístor mosfet
• Pacote de Transporte: Carton
• Especificação: standard
• Marca Registrada: MCC
• Origem: Original
• Código HS: 85423100
• Capacidade de Produção: 10000PCS/Month

Descrição de Produto

Transístor MOSFET IC 2N7002KHE3-TP N-Channel 60 V 340 mA 350 mW SMD SOT-23

 

Número do modelo	2N7002KHE3-TP
Digite	MOSFET
Local de origem	China
Nome da marca	Original
D/C	Novo
Tipo de pacote	Montagem saliente
Aplicação	Transístor MOSFET
Material disponível	folha de dados
Marca	2N7002KHE3-TP
Potência - Máx	350 mW
Temperatura de funcionamento	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem saliente
Pacote/caixa	PARA -236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de FET	N-Channel (Canal N)
Característica FET	-
Purga para Tensão de alimentação (Vdss)	60 V
Corrente - purga contínua (ID) @ 25 ° C	340 mA
RDS ligado (Máx.) @ ID, VGS	2,5 Ohm @ 300 mA, 10 V.
VGS(TH)(Max) @ ID	2,5 V @ 1 mA
Carga da porta (QG) (Máx.) @ VGS	-
Capacidade de entrada (Ciss) (Máx.) @ VDS	40 PF @ 10 V
Tensão de condução (RDS máx. Ligado, RDS mín. Ligado)	4,5 V, 10 V.

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