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TensãO Alta GC11N65K Super junction Transistor Mosfet 650V 11A
EficiêNcia energéTica:Maior carga leve carga plena eficáCia, ultra-baixa e Rdson Qg, reduzir efetivamente a perda;
Pequeno aumento de temperatura:Menor consumo de energia, reduzir efetivamente a temperatura de funcionamento da fonte de alimentaçãO,
Prolongar a vida de serviçO da fonte de alimentaçãO;
Elevada estabilidade:Planar, processo de fabricaçãO forte capacidade de EAS, em comparaçãO com o processo da ranhura SJ MOS para fornecer mais
ProtecçãO eficaz contra choque de energia, melhorando significativamente elevada estabilidade téRmica.
Melhor desempenho EMI.
| NúMero de PeçA | GC11N65k |
| VDSS | 650V |
| ID | 11A |
| O RDS | 360mΩ@ vgs=10V |
| V | 2.5~4V |
| Package | A-220 |
| Os Ciss | 901 pF |
| Sir | 5.5 pF |
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Aplicativo removedor,AlimentaçãO de energia móVel,synchronous,circuito rectificaçãO,E - ferramentas e ups ou inversores, ElectróNica digital,ETC
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