Tecnologia de Fabricação: | Dispositivo Discreto |
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Material: | Semiconductor de Elemento |
Tipo: | N and P Channel |
Pacote: | SMD |
Processamento de Sinais: | Analógico Digital Composite e Função |
Aplicação: | High Power and Current Handing Capability |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
Os MOSFETs complementares de 12V ~ 100V (N e tipo P complementares) da NCE são optimizados através da integração de MOSFETs de potência de tendências tipo P e N em configurações complementares de lado alto e baixo num único pacote. Estes MOSFETs complementares não só melhoram a eficiência dos designers, como também optimizam a arquitectura do sistema. Com base no formato de pacote compacto, o pode fornecer aos designers soluções mais fiáveis e com uma boa relação custo-benefício. Estes produtos são amplamente utilizados em sistemas de conversão DC-DC, controlo de motores e gestão de baterias.
Os MOSFETs complementares estão disponíveis em DFN2 * 2, DFN3.3 * 3.3, DFN5 * 6, SOP-8, SOT-23-6L, E PARA-252-4L.
Informações sobre marcação e encomenda de embalagens | ||||||||
Marca | Número de peça | Pacote de dispositivos | SPQ | MOQ | ||||
NCE | NCE603S | SOP-8 | 4000 peças/bobina | 4000 peças |
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