Tecnologia de Fabricação: | Dispositivo Discreto |
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Material: | Semiconductor de Elemento |
Tipo: | igbt |
Pacote: | SMD |
Processamento de Sinais: | Analógico Digital Composite e Função |
Aplicação: | ar condicionado |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
O NCE oferece dispositivos IGBT de canal N com níveis de tensão de ruptura que variam de 600 V a 650 V. Com as tecnologias Injection Enhance (IE) e Field Stop (FS), a família NCE IGBT oferece uma queda de tensão no estado (VCE) líder da indústria e um bom trade-off entre perdas no estado e fora do estado (Eoff). A excelente queda de tensão no estado e a corrente de cauda muito curta ajudam os designers a optimizar a eficiência do sistema. Além disso, os IGBTs de 600 V a 650 V da NCE têm um bom desempenho em curto-circuito, proporcionando uma ampla margem para lidar com eventos inesperados em transmissões de motor. São amplamente utilizados em fontes de alimentação ininterrupta (UPS), inversores solares e todos os interruptores rígidos.
A gama de pacotes de produtos IGBT da série N-channel de 600 V inclui OS MODELOS DE -220, TO-263, TO-251, TO-252, TO-3P, E PARA -247.
Informações sobre marcação e encomenda de embalagens | ||||||||
Marca | Número de peça | Pacote de dispositivos | SPQ | MOQ | ||||
Potência NCE | NCE10TD60BD | A -263 | 800 unid./bobina | 800 unid |
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