Placa Sapphire de grau óptico polida substrato Sapphire com padrão polido

• tamanho: 2 polegadas
• materiais: sapphire al2o3
• tratamento de superfície: ssp ou dsp
• crescimento: ky
• orientação: plano c.
• espessura: 430 a.
• N ° de Modelo.: FW-SAPPHIRE
• tecnologia de fabricação: semicondutor optoelectrónico
• material: semicondutor composto
• digite: semicondutor do tipo n.
• número do lote: Mais de 2010
• pacote: 25 unidades numa embalagem de cassetes
• marca: finewin
• Pacote de Transporte: Single Piece or 25 PCS
• Especificação: 2inch Cplane
• Marca Registrada: Jiaozuo FineWin
• Origem: Jiaozuo City Henan Province
• Capacidade de Produção: 100, 000 PCS/Month

Descrição de Produto

Placa Sapphire de grau óptico polida substrato Sapphire com padrão polido
 

Descrição do produto

1. Especificação pormenorizada:
Materiais de cristal: 99, 996% de Al2O3, pureza elevada, Monocristalino
Crescimento: KY
 

Materiais de cristal	99, 996% de Al2O3, pureza elevada, Monocristalina
Qualidade cristalina	As marcas de bloco, gémeos, Cor, microbolhas e centros de dispersão são inexistentes
Diâmetro	50.8 ± 0,2 mm 76.2 ± 0,2 mm 100.0 ± 0,3 mm 150.0 ± 0,3 mm
Espessura	430 ± 15 μ m, 500 ± 15 μ m, 550 ± 15 μm, 650 ± 15 μm, 1000 ± 15 μm
Orientação	Plano C, plano M, PLANO A, plano R, plano C fora do plano M, Plano C fora do plano A.
Orientação plana primária	Plano a (1 1-2 0) ± 0.2 °
Comprimento plano primário	16.0 ± 1.5 mm, 32.50 ± 1.5 mm,
TTV	≤ 10 μm
LTV	≤ 10 μm
ARCO	≤ 10 μm
Urdidura	≤ 10 μm
Superfície dianteira Superfície traseira	Polido por EPI, Ra < 0,2nm (por AFM) Terreno fino (Ra de 0.5 a 1.2 μ M) ou polido por Epi (Ra < 0.2 nm)
Limpeza/embalagem	Classe 100 Limpeza de salas, embalagem a vácuo; 25 unidades em uma embalagem de cassete ou embalagem individual.

PSS SPEC: Diâmetro: 2.7 ± 0.15 μm; Espaçamento: 0.3 ± 0.15 μm; profundidade: 1.75 ± 0.15 μm


2. Aplicação: O nosso substrato de safira pode ser utilizado como substrato para o crescimento de compostos III-V, como o GaN para LED

 Substratos de safira de plano a - são normalmente utilizados para aplicações microelectrónicas híbridas que requerem uma constante dieléctrica uniforme e características altamente isolantes.

 Substratos de plano C - tendem a ser utilizados para compostos lll-V e ll-VL, como GaN, para díodos LED e laser brilhantes a azul e verde.

 Substratos R-plane - são preferidos para a deposição hetero-epitaxial de silício usado em aplicações de CI microeletrônica.


 

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Nossas vantagens

 

1. Controlo de qualidade e qualidade elevada,
2. Novo produto  
3. Design e logótipo do cliente bem-vindo,
4.Competitive preços,
5. Numa variedade de Design,
6. Encomenda de quantidades pequenas aceitável
7. Prazo rápido
 

Fotos detalhadas

 

Pacote:
Limpeza na classe 100 roon e 25 unidades embaladas em cassete. Então nós embalamos todos seus wafers requeridos na caixa bem.  

 

processamento

 

A nossa máquina de limpeza Smartron da Coreia

PERGUNTAS FREQUENTES:

P: Qual é a forma de envio e custo?

R: (1) nós aceitamos DHL, FedEx, TNT, UPS, EMS, etc.

  (2) se você tem sua própria conta expressa, é grande. Se não, nós poderíamos ajudá-lo a enviá-los.  

 P: Como pagar?

A: T/T, Paypal, etc.

P: Qual é o seu MOQ?

A: (1) para inventário, o MOQ é de 5 peças.

   (2) para produtos personalizados, o MOQ é 10 pçs-25 pçs.

P: Qual é o tempo de entrega?

A: (1) para os produtos-padrão

     Para inventário: A entrega é de 5 dias úteis após a realização da encomenda.

     Para produtos personalizados: A entrega é de 2 ou 3 semanas após a realização da encomenda.

   (2) para os produtos em forma especial, a entrega é de 4 ou 6 semanas de trabalho após a realização da encomenda.

P: Você tem produtos padrão?

R: Os nossos produtos padrão em stock.

P: Posso personalizar os produtos com base nas minhas necessidades?

R: Sim, podemos personalizar o material, as especificações e o revestimento óptico para os seus componentes ópticos com base nas suas necessidades.