• Disco de silicone (polido de lado único) tipo P, diâmetro de 3 polegadas e espessura de 0.5 mm
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Favoritos

Disco de silicone (polido de lado único) tipo P, diâmetro de 3 polegadas e espessura de 0.5 mm

Aplicação: led
Tipo de condutividade: P-Type
Pureza: MG-Si
Tipo: semicondutor intrínseco
método de crescimento: cz e fz
orientação: 111 ou 100

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Membro de Ouro Desde 2018

Fornecedores com licênças comerciais verificadas

Avaliação: 5.0/5
Empresa Comercial
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Visão Geral

Informação Básica.

N ° de Modelo.
FW-CRYSTAL
resistividade
0.0005 a 150
superfície
lado duplo polido ou lado único polido
dopante
tipo n e tipo p.
partículas
< 30 a 0,3 um
arco
< 30 um
ttv
< 15 um
tecnologia de fabricação
semicondutor optoelectrónico
material
semicondutor composto
pacote
smd
processamento de sinal
função e composto digital analógico
Pacote de Transporte
Caixa
Especificação
customized
Marca Registrada
Finewin
Origem
China
Capacidade de Produção
100, 000PCS/Month

Descrição de Produto

 Disco de silicone (polido de lado único), tipo P, diâmetro de 3 polegadas e espessura de 0.5 mm


Descrição do produto


O bolacha de dióxido térmico de silício refere-se ao crescimento térmico de uma película dieléctrica uniforme na superfície da placa de silicone, que é utilizada como material de isolamento ou máscara. O processo de oxidação inclui oxidação de oxigénio seco a alta temperatura e oxidação de oxigénio húmido a alta temperatura.
Fotos detalhadas


Silicon Wafer (single side polished) P-Type, 3 Inch Diameter and 0.5 mm ThicknessSilicon Wafer (single side polished) P-Type, 3 Inch Diameter and 0.5 mm Thickness
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processamento


O crescimento de  um lingote de silício pode levar de uma semana para um mês, dependendo de muitos fatores, incluindo tamanho, qualidade e especificação. Mais de 75% de todas as bolachas de silício de cristal único crescem através do método Czochralski (CZ).  

Silicon Wafer (single side polished) P-Type, 3 Inch Diameter and 0.5 mm Thickness

Equipamentos
 



Silicon Wafer (single side polished) P-Type, 3 Inch Diameter and 0.5 mm Thickness

Parâmetros do produto
 
Método de crescimento CZ
Tipo (dopagem) Tipo P (dopado B) ou tipo n(dopado P)
Orientação (100) ou (111)
Diâmetro 2 pol. ~ 12 pol
Espessura 200~1500 μm,
Superfície SSP ou DSP
TTV E ARCO ' ≤ 15 μm
Resistividade 0 ~ 300 ohm.cm
Limpeza/embalagem Embalagem a vácuo, 25 unidades numa embalagem de cassetes
Situação das existências a sua especificação necessária pode ser-nos enviada para verificação


5. PERGUNTAS FREQUENTES:

P: Qual é a forma de envio e custo?

R: (1) nós aceitamos DHL, FedEx, TNT, UPS, EMS, etc.

  (2) se você tem sua própria conta expressa, é grande. Se não, nós poderíamos ajudá-lo a enviá-los.  

 P: Como pagar?

A: T/T, Paypal, etc.

P: Qual é o seu MOQ?

A: (1) para inventário, o MOQ é de 5 peças.

   (2) para produtos personalizados, o MOQ é 10 pçs-25 pçs.

P: Qual é o tempo de entrega?

A: (1) para os produtos-padrão

     Para inventário: A entrega é de 5 dias úteis após a realização da encomenda.

     Para produtos personalizados: A entrega é de 2 ou 3 semanas após a realização da encomenda.

   (2) para os produtos em forma especial, a entrega é de 4 ou 6 semanas de trabalho após a realização da encomenda.

P: Você tem produtos padrão?

R: Os nossos produtos padrão em stock.

P: Posso personalizar os produtos com base nas minhas necessidades?

R: Sim, podemos personalizar o material, as especificações e o revestimento óptico para os seus componentes ópticos com base nas suas necessidades.
 



 

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