Tipo: | Sensor de pressão Piezoresistive |
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Componente: | Tipo de Semicondutor |
Para: | Monocrystalline Silicon Pressure Sensor |
Tipo de saída de sinal: | Tipo Digital |
Processo De Produção: | Wirewound normal |
Material: | Aço Inoxidável |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
Sensor de pressão diferencial de silício monocristalino BP350
Parâmetros de desempenho | |
Saída | 60 ~ 140 mV |
Temperatura de armazenamento | - 40ºC ~ 125ºC |
Temperatura de trabalho | - 40ºC ~ 85ºC |
Fonte de alimentação | 5 V CC |
Histerese térmica | ± 0.1% FS (10 kPa) |
Histerese de pressão | ± 0.025% FS |
Estabilidade a longo prazo | ± 0.05% FS/ano |
Não linearidade | ± 0.5% FS (10 kPa |
Influência da pressão estática | ± 0.15% FS/10 MPa |
Material do diafragma | 316L ou Hastelloy |
Desvio da temperatura zero | ± 0.05% FS/ºC |
Intervalo de pressão | ||
Alcance | Pressão excessiva | Pressão estática |
- 6 kPa ~ 0 ~ 6 kPa | 16 MPa | 16 MPa |
-40 kPa ~ 0 ~ 40 kPa | 16 MPa | 16 MPa |
- 100 kPa ~ 0 ~ 100 kPa | 16 MPa | 25 MPa |
- 250 kPa ~ 0 ~ 250 kPa | 16 MPa | 25 Mpa |
- 1 MPa ~ 0 ~ 1 MPa | 16 MPa | 40 MPa |
- 3 MPa ~ 0 ~ 3 MPa | 16 MPa | 40 MPa |
Dicas para encomenda |
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