Encapsulation Structure: | Ceramic Packaged Transistor |
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Installation: | SMD Triode |
Working Frequency: | Overclocking |
Power Level: | Medium Power |
Function: | Power Triode |
Structure: | Planar |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
Polaridade de transistores: | NPN |
Configuração: | Single |
Collector- Tensão de Emissor VCEO Max: | 40 V |
Collector- VCBO Tensão da base de dados: | 60 V |
Tensão de base VEBO- emissor: | 6 V |
Tensão de Saturação Collector-Emitter: | 0,75 V |
Coletor de DC máxima atual: | 0,6 A |
Pd - Dissipação de energia: | 0,6 W |
Produto de banda de ganho fT: | 250 MHz |
Temperatura mínima de funcionamento: | - 55 C |
A temperatura máxima de operação: | + 150 C |
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