Encapsulation Structure: | Chip Transistor |
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Installation: | Through Hole |
Power Level: | High Power |
Function: | Power Triode, Transistor Amplifier |
categoria de produto: | potência dos transístores bipolares |
estado livre de chumbo: | em conformidade com a rohs |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | @ 1, 5V 3mA, 2A |
- Corrente de corte de colector (Max) | 10 µA (ICBO) |
Ganho de corrente DC (hFE) (Min) @ Ic Vce | 2000 @ 3A, 2V |
- Passagem de frequência | 100MHz |
A temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Através do Orifício |
Atual - colector (IC) (máx. ) | 6 UM |
- A tensão do emissor de coletor de Desagregação (Max) | 120 V |
Energia - Max | 30 W |
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