30J124 GT30J124 Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT canal N de silício

• Certification: RoHS, CE, ISO, CCC
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Installation: Plug-in Triode
• Power Level: High Power
• Function: IGBT Transistor
• número do produto: Gt30j124
• N ° de Modelo.: 30J124
• descrição: igbt 600 v 200 a 170 w a 3 pn
• categoria: transístor
• pacote: tubo
• envio por: dhl \ levanta \ fedex \ ems \ hk postdhl \ levanta \ fedex \ ems \ hk post
• avaria do emissor do colector de tensão (m: 600 v.
• descrição detalhada: igbt - orifício a -3p(n)
• condição: marca newand original
• tipo de entrada: padrão
• Especificação: power

Descrição de Produto

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Nossos Exihibiton


Perguntas mais frequentes sobre

1. Quem é você?
Somos Fabricante de alta qualidade da própria China incluem chips IC, , Transistor Resistor,
Capacitores, Memory, , MOSFET IGBT, Traic/SCR, Optoeletrônica. Quase todos os componentes
De electrónica em nossa produção.

2. Você também vende peças originais?
Sim, também estamos fornecendo materiais originais bcz todos nossos projetado chips são baseados na
O Original, tão cooperamos com alguns original do desenho e desenvolvimento
Departamento que temos boas fontes de original.

3. Qual é a sua vantagem?
Os nossos produtos de Alta Qualidade com preço razoável pode substituir completamente a
Os componentes originais.

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Sim, podemos, se você tiver pedido plz e projectos entre em contato conosco.

5. Posso comprar todos os componentes exigir im você?
Claro sim, Lista de Materiais entre aspas até a porta a porta de serviço expresso,
Temos profissional de vendas para conectar com você todo o tempo.