Field Effect Transistor Mosfet N-channel 650V39UM Ipw65R110cfd 65f6110A

• Certificação: RoHS, CE, ISO, CCC
• Estrutura encapsulamento: Transistor Embalado cerâmica
• Instalação: Plug-in Triode
• Freqüência de trabalho: overclocking
• Nível de poder: Alto poder
• Função: Triode poder, Triode de comutação
• N ° de Modelo.: IPW65R110CFD
• Estrutura: Flat
• Material: Germânio
• tipo fet: canal n.
• tensão de avaria ds - min: 650 v
• tecnologia: mosfet (óxido de metal)
• tipo de instalação: através do orifício
• número do produto: ipw65r110cfd
• categoria: transístores - fets, mosfet
• tensão de condução (rds máx. ligado, rds mín. ligado): 10 v.
• tecnologia fet: semicondutor de óxido de metal
• carga da porta: (qg) (máx.) @ vgs 118 nc @ 10 v
• aplicação do transístor: comutação
• Pacote de Transporte: Carton
• Especificação: Plastic and copper
• Marca Registrada: CHN
• Origem: China

Descrição de Produto

Produto Paramenters






Perfil da empresa


 




Embalagem do produto

Perguntas mais frequentes sobre


1. Quem é você?
Somos Fabricante de qualidade elevada a própria China incluem chips IC, Transistor Resistor, , condensadores,
Memory, IGBT MOSFET, , Traic/SCR, Optoeletrônica. Quase todos os componentes da electrónica na nossa produção.

2. Você também vende peças originais?
Sim, também estamos fornecendo materiais originais bcz todos os nossos chips projetados são baseados no original, de modo que
Estão a colaborar com alguns original do projeto e o Departamento de Desenvolvimento que temos boas fontes de original.

3. Qual é a sua vantagem?
Os nossos produtos de Alta Qualidade com preço razoável pode substituir completamente os componentes originais.

4. Você pode fornecer serviço de OEM?
Sim, podemos, se você tiver projetos e solicitar plz entre em contato conosco.

5. Posso comprar todos os im exigir componentes de você?
Claro sim, a partir de materiais entre aspas lista até a porta a porta de serviço expresso, temos
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