Power Transistor Field-Effect Irfb4020pbf Irfb4020 para-220 IR

• Forma: ST
• Tipo de blindagem: Afiada Cutoff Tubo Blindagem
• Método de refrigeração: Air Tubo Refrigerado
• Função: mosfet
• Freqüência de trabalho: Baixa frequência
• Estrutura: planar
• N ° de Modelo.: IRFB4020PBF
• Estrutura encapsulamento: Chip Transistor
• Nível de poder: Alto poder
• Material: Silício
• estilo de instalação: através do orifício
• polaridade do transístor: canal n.
• modo de canal: melhoria
• tipo de produto: mosfet
• descrição do samacsys: mosfet mesquinho 200 v 100 m 18a 18nc qg para aud
• tecnologia fet: semicondutor de óxido de metal
• polaridade/tipo de canal: canal n.
• Pacote de Transporte: Tube
• Especificação: iron and plastic
• Origem: Chn

Descrição de Produto

 

>.EspecificaçõEs

>.Atributo do produto

 

- TensãO de ruptura Drain-Source Vds:	200 V
Id - Corrente de Drenagem contíNua:	18 Um
Rds No - Drain-Source resistêNcia:	100 mOhms
Vgs - Gate-Source TensãO:	- 20 V, + 20 V
Temperatura míNima de funcionamento:	- 55 C
A temperatura máXima de operaçãO:	+ 175C
Pd - DissipaçãO de energia:	100 W
O modo de canal:	ValorizaçãO
ConfiguraçãO:	Single
Altura:	15,65 mm
Comprimento:	10 mm
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Largura:	4.4 mm

>.Sobre nóS

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Componentes.ÉEspecializada na concepçãO, desenvolvimento e fabricaçãO de IC,os diodos,TransíStores,
O SCR,,MOSFET IGBT,Reguladores com a nossa próPria marca(JDP).AléM disso, estamos a níVel internacional
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>.Categoria do produto