Irg4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor

• Certificação: RoHS
• Forma: ST
• Função: Transistor de alta pressão Voltar, Transistor microondas, Mudar Transistor
• Freqüência de trabalho: Alta frequência
• Estrutura: NPN
• Estrutura encapsulamento: Plug-in Transistor
• N ° de Modelo.: IRG4PF50W
• Nível de poder: Alto poder
• Material: Silício
• frequência de comutação: gen 4 8-30 khz
• tecnologia: igbt geração 4
• pacote/caixa: o247
• eoff: 1,06mj
• frequência de comutação mín. máx: 8,0 khz 30,0 khz
• ets (máx.): 1,25 mj (1,7 mj)
• ptot máx: 200.0W
• utilize: equipamento
• Especificação: Use - welding machine equipment, UPS power supply

Descrição de Produto

IRG4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistor  

 

1.   Alta performanced, compatíveis e fiáveis. 2.   100% original e até à data. 3. Seguro e ecológico 4.   Alta dirigidas ao consumo de baixa potência projetado 5.   Resistente, estável e constante
Número de Peça	IRG4PF50W
Package	Mergulhe / SOP / QFP
Código de data	16+, 17+, 18+, mais recentes
O pagamento	T/T, a  Western Union, Visa; HSBC
Embarque	UPS, a DHL, TNT, FEDEX ou pelos seus próprios forwarder
Brand	Novo e original

Certificações
 

Em 2010, a empresa registrou o Chinês e Inglês marcas comerciais da "JDP" Jin Dapeng, investido
Muita energia na investigação e desenvolvimento de produtos, e
Desenvolvidos com sucesso uma série de alta qualidade da marca de componentes eletrônicos, que tenha sido
Reconhecido e apoiado pela maioria dos clientes de aplicativos