Fqpf4n60 Qualidade Original aos transistores220 4N60

• Certificação: RoHS
• Forma: DIP
• Estrutura encapsulamento: Chip Transistor
• Nível de poder: Alto poder
• Material: Silício
• produto: mosfet
• N ° de Modelo.: FQPF4N60
• preço: pls contacte o nosso
• dissipação de energia (máxima): 36 w (tc)
• tipo fet: canal n.
• polaridade do transístor: canal n.
• embalagem: tubo
• tecnologia fet: semicondutor de óxido de metal
• número do produto: Fqpf4n60
• descrição detalhada: canal n 600v 2.6a (tc) 36w (tc) através do orifício
• purga para tensão de alimentação (vdss): 600 v.
• Pacote de Transporte: Roll
• Especificação: standard
• Marca Registrada: CHN
• Origem: China

Descrição de Produto

FQPF4N60 Qualidade Original aos transistores220 4N60

• Baixo custo de bico valvulado ( típico 15 nC)
• Baixo Sir ( típico 8,0 pF)
• Mudança Rápida
• 100% avalanche testado