SJ22N65 Série N MOSFET DE CANAL COM SUPER CHIP de junção

• Encapsulation Structure: metal Sealed
• Application: Electronic Products
• Certification: RoHS, ISO
• Structure: Super Junction
• Material: Silicon
• Pacote de Transporte: Tube
• N ° de Modelo.: SJ22N65
• Especificação: High Power
• Marca Registrada: JF
• Origem: China
• Código HS: 85411000
• Capacidade de Produção: 10000000000piece/Year

Descrição de Produto

Descrição do produto

Super Junction N canais MOSFET de Potência
Componentes eletrônicos

Número da peça: SJ22N65

Parâmetro importante:  

Digite	Channel	VDSS(V) (MAX)	ID(A) (MAX)	PD(W) (MAX)	VGS(V) (MAX)	V(V)	Rds(ligado)(Ω) @10V (típ)	Rds(ligado)(Ω) @10V (MAX)	Rds(ligado)(Ω) @4,5V(tip)	Protecção ESD para G-S(Y/N)	Código de contorno
SJ25N50	N	500	22		±30	2.5~4,5	0.12
SJ4N60	N	600	4		±30	2~4	0.90				A-220AB: ITO-220AB:F A-263.º:D A-252:M A-262:E A-251:N A-247:P
SJ7N60	N	600	7		±30	2~4	0,58
SJ11N60	N	600	11		±30	2~4	0.38
SJ13N60	N	600	13		±30	2~4	0.34
SJ18N60	N	600	18		±30	2~4	0,22
SJ20N60	N	600	20		±30	2.5~4,0	0.17
SJ21N60	N	600	21		±30	2.5~4,0	0,13
SJ47N60	N	600	47		±30	2~4	0.06
SJ77N60	N	600	77		±30	2.5~4,5	0,035
SJ4N65	N	650	4		±30	2~4	1.00
SJ5N65	N	650	5		±30	2.5~4,5	0.85
SJ7N65	N	650	7		±30	2~4	0.62
SJ11N65	N	650	11		±30	2~4	0.40
SJ13N65	N	650	13		±30	2~4	0,36
SJ18N65	N	650	18		±30	2~4	0.25
SJ20N65	N	650	20		±30	2~4	0.19
SJ22N65	N	650	22		±30	2~4	0,15
SJ47N65	N	650	47		±30	2~4	0,07
SJ7N70	N	700	7		±30	2.5~4,5	0,65
SJ11N70	N	700	11		±30	2~4	0.43
SJ20N80	N	800	20		±30	2.5~4,5	0,22

Marca: JF  

Pacote: ITO-220AB/-220AB/ -263.º/-252/-262/-251/-247/-3P
Fabricante: Jinan Jingheng Electronics Co, Ltd

Recursos:

· Capacidade de comutação rápida

· Isenção de chumbo em conformidade com a directiva RoHS da UE.

· Melhoria da capacidade de dt dv robustez elevada

Aplicação:  
Utilizado na alimentação de potência, iluminação, automático, campo de eletrodomésticos

 

Perfil da empresa