Tecnologia de Fabricação: | Dispositivo Discreto |
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Material: | Semiconductor de Elemento |
Tipo: | PCB |
Pacote: | PCB |
Processamento de Sinais: | Analógico Digital Composite e Função |
Aplicação: | Electostatic Cleaning |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
Digite | HPT220KV8A75nS Tempo de recuperação ultra-rápido Equalização RC |
HPT110KV5A100nS Tempo de recuperação rápido Equalização RC |
HPT220KV5A100nS Tempo de recuperação rápido Equalização RC |
Tensão de inversão de pico repetitivo [Vrrm KV] | 220 | 110 | 220 |
Tensão de pico de inversão não repetitiva [Vrrm KV] | 270 | 140 | 270 |
Corrente média no estado [ Ifavm1 A 45ºC] | 8 | 5 | 5 |
Corrente média no estado [ Ifavm1 A 85ºC] | 5 | 3 | 3 |
Tensão de pico de avanço repetitiva [Ifrm A] | 160 | 100 | 100 |
Corrente de oscilação não repetitiva máxima [Ifsm1 A 25ºC] | 100 | 60 | 60 |
Corrente de oscilação não repetitiva máxima [Ifsm2 A 85ºC] | 80 | 40 | 40 |
Temperatura de junção [TJ ºC] | -55~175 | -40~150 | -40~150 |
Temperatura máxima de junção [Tjm ºC] | 175 | 150 | 150 |
Temperatura de armazenamento [Tstg ºC] | -55~175 | -40~150 | -40~150 |
Dimensão [WDL] | 100 * 45 * 445 | 100 * 45 * 240 | 100 * 45 * 445 |
Marcha-atrás 1 [IR1 TJ 25ºC UA] | 25 | 20 | 20 |
Leakage2 inverso [IR2 Tjm 25ºC UA] | 500 | 100 | 100 |
Tensão de avanço [VF1 TJ 25ºC V] | 400 | 200 | 410 |
Tensão de avanço [VF2 TJ 150ºC V] | 355 | 170 | 365 |
Resistência térmica 1 [K/W de arrefecimento do ar rtjc] | 0.25 | 0.92 | 0.45 |
Resistência terça2 [óleo isolante Rthjc K/W] | 0.04 | 0.14 | 0.07 |
Peso KG | 1.15 | 0.45 | 0.92 |
Número de série da PCB | O S353 E S352 | S355 E S354 E S349 | S353 E S354 |
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