Revestimento metálico: | Cobre |
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Modo de Produção: | SMT |
Camadas: | Single-Camada |
Material de Base: | FR-4 |
Certificação: | RoHS |
Personalizado: | Personalizado |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
Não | Item de teste | Critério (Ajustável) |
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1 | Tensão | Tensão de carga | CC 33,6 V CC/CV | |||
Tensão de equilíbrio para uma única célula | 4.20 ± 0,05 V. | |||||
2 | Atual | Corrente de equilíbrio para célula única | 84 ± 10 mA | |||
Consumo de corrente para uma única célula | ≤ 20μA | |||||
Corrente de carregamento contínua máx | 5A | |||||
Máx. Cont. Corrente de descarga | 5A | |||||
3 | Proteção contra sobrecarga (célula única) |
Tensão de detecção de excesso de carga | 4.25 ± 0,05 V. | |||
Tempo de atraso da deteção de excesso de carga | 0,5S-2S | |||||
Tensão de libertação de excesso de carga | 4.05 ± 0,1 V. | |||||
4 | Proteção contra descarga excessiva (célula única) |
Tensão de detecção de descarga excessiva | 2.50 ± 0,1 V. | |||
Tempo de atraso da detecção de descarga excessiva | 10 ms - 200 ms | |||||
Tensão de libertação de descarga excessiva | 2.50 ± 0,1 V. | |||||
5 | Proteção contra sobrecorrente | Tensão de detecção de sobrecorrente | 30 ± 5 A. | |||
Tempo de atraso de detecção | 5 ms - 60 ms | |||||
Condição de libertação | Carga de corte, libertação automática | |||||
6 | Proteção curta | Condição de detecção | Curto-circuito exterior | |||
Tempo de atraso de detecção | 200-800us | |||||
Condição de libertação | Carga de corte, libertação automática | |||||
7 | Resistência | Circuitos de protecção (MOSFET) |
≤ 20mΩ | |||
8 | Temperatura | Intervalo de temperatura de funcionamento |
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Intervalo de temperatura de armazenamento | - 40 ~ 125ºC |
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