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Máquina CMP para substrato de LEDs

Pacote de Transporte: Sea
Especificação: 2000KG
Marca Registrada: MINDERHIGHTECH
Origem: Guangzhou

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Membro Diamante Desde 2017

Fornecedores com licênças comerciais verificadas

Informação Básica.

Código HS
8501109101

Descrição de Produto

MDS8104LMFR/MDS8104PMFR

MÁQUINA DE POLIMENTO/POLIMENTO DE SUBSTRATO SEMIPAUTO
Aplicação da máquina

 

Tipo de processo

 

Ordenar por material de processo

 

Ordenar por aplicação
LADO ÚNICO
PLACA
POLIMENTO &
POLIMENTO
Metal e liga
Cerâmica
Óxido
Carboneto
Vidro
Plástico

Semi-condutor
Substrato LED
Si, SiC, GE, GE-si, GaN, GaAs, GaAsAl, Gaasp, InSb, InP, ZnO, AlN, Al2O3, etc.
Resina PE, E/VAC, SBS, SBR, NBR, SR, BR, PR
PCB , , adhensivo, revestimento, circuito
Óptico , , , lente HUDótica, vidro do HUD, vidro da tela
Radar
Gemstaone
Outros
Placa de revestimento de óxido
Jade, safira, ágata, etc
Anel de vedação da válvula. Micrómetro diamante, rolamento, etc.
O polimento só pode remover uma ligeira espessura do objecto. Se a margem de formação for > 100, é necessária uma máquina mais fina (contacte-nos para obter um nível mais fino)
Especificação da máquina
Classe de máquina
CMP Machine for LEDs Substrate
 
Especificação padrão
Série de máquinas MDS8104LMFR
Diâmetro da placa Φ810mm
Máx. Diâmetro do objecto Φ350 mm
Número de estações 4
Velocidade de rotação da placa 0-90 RPM
Velocidade de rotação da barra do cilindro 0-40 RPM
Velocidade de faceamento e de ranhuramento
Não incluir no polimento
0 - 120 mm/m
Peso total 2200 kg
Espaço no piso 2200 * 1200 mm
 
Opção Especificação
Controlos PLC digital / Ecrã Táctil
Fonte de pressão Integrado com PLC
Sistema de faceamento e ranhuramento Controlo digital / manual da profundidade de alimentação integrada com PLC /    
Controlo PLC da profundidade de alimentação integrada com PLC
Sistema de arrefecimento da placa Integrado na Máquina
Sistema de provisão de slurry Digital / integrado com PLC
Sistema de transmissão da barra do cilindro Integrado com PLC
Sistema de vácuo de pó Manual / integrado com PLC

1, a produção de amostras com base nos requisitos de produção pode confirmar a necessidade de kits opcionais.
2, as opções sombreadas são buit nesta máquina.
3, o sistema de faceamento e de canal é desnecessário para a máquina de polimento e não configurado.
4, a máquina de polimento/polimento de substratos está altamente configurada, é utilizada uma proteção à prova de pó para proteção contra a raspagem de partículas fugitivas ou sólidas contra a superfície do objeto durante o processamento, especialmente durante o polimento.
5, Contacte-nos para mais tipos de máquina de polimento/polimento



 
Amostras

Registo de amostra


Aplicação e material
 

MDS8104LMFR/MDS8104PMFR

MÁQUINA DE POLIMENTO/POLIMENTO DE SUBSTRATO SEMIPAUTO
Aplicação da máquina

Tipo de processo

Ordenar por material de processo

 

Ordenar por aplicação
LADO ÚNICO
PLACA
POLIMENTO &
POLIMENTO
Metal e liga
Cerâmica
Óxido
Carboneto
Vidro
Plástico

Semi-condutor
Substrato LED
Si, SiC, GE, GE-si, GaN, GaAs, GaAsAl, Gaasp, InSb, InP, ZnO, AlN, Al2O3, etc.
Resina PE, E/VAC, SBS, SBR, NBR, SR, BR, PR
PCB , , adhensivo, revestimento, circuito
Óptico , , lente HUDótica, vidro do HUD, vidro da tela
Radar
Gemstaone
Outros
Placa de revestimento de óxido
Jade, safira, ágata, etc
Anel de vedação da válvula. Micrómetro diamante, rolamento, etc.
O polimento só pode remover uma ligeira espessura do objecto. Se a margem de formação for > 100, é necessária uma máquina mais fina (contacte-nos para obter um nível mais fino)
Especificação da máquina
Classe de máquina
       
()
Polimento plano
Máquina
()
Disco duplo
Máquina de polimento

Polimento de escova
Máquina

Máquina de desbaste/desbaste de substratos
 
Especificação padrão
Série de máquinas MDS8104LMFR
Diâmetro da placa Φ810mm
Máx. Diâmetro do objecto Φ350 mm
Número de estações 4
Velocidade de rotação da placa 0-90 RPM
Velocidade de rotação da barra do cilindro 0-40 RPM
Velocidade de faceamento e de ranhuramento
Não incluir no polimento
0 - 120 mm/m
Peso total 2200 kg
Espaço no piso 2200 * 1200 mm
 
Opção Especificação
Controlos PLC digital / Ecrã Táctil
Fonte de pressão Integrado com PLC
Sistema de faceamento e ranhuramento Controlo digital / manual da profundidade de alimentação integrada com PLC /    
Controlo PLC da profundidade de alimentação integrada com PLC
Sistema de arrefecimento da placa Integrado na Máquina
Sistema de provisão de slurry Digital / integrado com PLC
Sistema de transmissão da barra do cilindro Integrado com PLC
Sistema de vácuo de pó Manual / integrado com PLC

1, a produção de amostras com base nos requisitos de produção pode confirmar a necessidade de kits opcionais.
2, as opções sombreadas são buit nesta máquina.
3, o sistema de faceamento e de canal é desnecessário para a máquina de polimento e não configurado.
4, a máquina de polimento/polimento de substratos está altamente configurada, é utilizada uma proteção à prova de pó para proteção contra a raspagem de partículas fugitivas ou sólidas contra a superfície do objeto durante o processamento, especialmente durante o polimento.
5, Contacte-nos para mais tipos de máquina de polimento/polimento



 
Amostras

Registo de amostra


Aplicação e material

Diâmetro diagonal

Processo
Digite

Planeza

Rugosidade

Paralelo

Espessura

Nota
  Industrial Sapphire

 
vários Polimento
Polimento
2μm ≤ Ra 0.02 μm 5μm
± 1μm
0,2 mm N
  Placa solar Vários Polimento 1μm Não é necessário 2μm
± 1μm
0,15 mm N
  Substrato
CaC2
Φ22mm Polimento 0.5μm Não é necessário 1μm
± 0.5μm
0,05 mm N
  Wafers
Si
Vários Polimento
Polimento
2μm ≤ Ra 0.02 μm 3μm
± 1μm
0,1 mm N
  Substrato de cobre LED Φ169mm Polimento
Polimento
5μm ≤ Ra 0.01 μm 5μm
± 1μm
Não é necessário N
  Substrato
MgO
Φ72mm Polimento 1μm Não é necessário 1μm 0,1 mm N
  Substrato
Al2O3
Φ158mm Polimento
Polimento
3 um ≤ Ra 0.02 μm 3 um
± 1μm
0,13 mm N
 
 
                               

Diâmetro por zona

Processo
Digite

Planeza
Rugosidade
Paralelo

Espessura

Nota
  Industrial Sapphire

 
vários Polimento
Polimento
2μm ≤ Ra 0.02 μm 5μm
± 1μm
0,2 mm N
  Placa solar Vários Polimento 1μm Não é necessário 2μm
± 1μm
0,15 mm N
  Substrato
CaC2
Φ22mm Polimento 0.5μm Não é necessário 1μm
± 0.5μm
0,05 mm N
  Wafers
Si
Vários Polimento
Polimento
2μm ≤ Ra 0.02 μm 3μm
± 1μm
0,1 mm N
  Substrato de cobre LED Φ169mm Polimento
Polimento
5μm ≤ Ra 0.01 μm 5μm
± 1μm
Não é necessário N
  Substrato
MgO
Φ72mm Polimento 1μm Não é necessário 1μm 0,1 mm N
  Substrato
Al2O3
Φ158mm Polimento
Polimento
3 um ≤ Ra 0.02 μm 3 um
± 1μm
0,13 mm N
 
 
                               

 

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