• 0.8-3GHz 33 dBm potência de entrada RF 2μ velocidade do interruptor S M*N Subsistema de teste de microondas
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0.8-3GHz 33 dBm potência de entrada RF 2μ velocidade do interruptor S M*N Subsistema de teste de microondas

After-sales Service: One Year
Warranty: One Year
modelo: swt-gkts-hfs4 × 2-110-0.8/3-nk
frequência de funcionamento: 0.8-3 ghz
potência de entrada rf: 33 dbm
gama de atenuação: 0-110 em incrementos de 1 db

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Membro Diamante Desde 2022

Fornecedores com licênças comerciais verificadas

Fabricante / Fábrica

Informação Básica.

N ° de Modelo.
SWT-GKTS-HFS4*2-110-0.8/3-NK
perda de inserção
≤ 22 db
mudar a velocidade
2μs
tipo de conector
n(k)
Pacote de Transporte
Carton or as Per Customer Requirement
Especificação
482.6*448*132.5 mm
Marca Registrada
SWT
Origem
China
Capacidade de Produção
1000 / Month

Descrição de Produto

0.8-3GHz 33 dBm potência de entrada RF 2μs velocidade do interruptor M*N Micro-ondas Subsistema de teste

0.8-3GHz 33dBm RF Input Power 2μ S Switch Speed M*N Microwave Test Subsystem
ESPECIFICAÇÕES
Frequência
Alcance (GHz)
Atenuação
Intervalo (dB)
Atenuação
Precisão
VSWR  Inserção
Perda (dB)
 Entrada RF
Potência (dBm)
 Interruptor
Velocidade
Conector
Digite
Dimensão
(mm)
Peso
(kg)
0.8-3 0-110  em  incrementos de 1 dB   ± 0,5 dB ( < 10 dB)
± 1,0 dB (10 ~ 31 dB)  
± 1,5 dB (32 ~ 63 dB)
 ± 2.5% dB (64 ~ 110 dB)
≤ 1.5 ≤ 22 33 2μs N(K) 482.6 × 448 × 132.5 9
 
0.8-3GHz 33dBm RF Input Power 2&mu; S Switch Speed M*N Microwave Test Subsystem
0.8-3GHz 33dBm RF Input Power 2&mu; S Switch Speed M*N Microwave Test Subsystem0.8-3GHz 33dBm RF Input Power 2&mu; S Switch Speed M*N Microwave Test Subsystem0.8-3GHz 33dBm RF Input Power 2&mu; S Switch Speed M*N Microwave Test Subsystem
Nanjing Shinewave Technology Co., Ltd. É uma empresa especializada na investigação e desenvolvimento, produção e venda de antenas RF de microondas, componentes activos e passivos e subsistemas. O campo de produtos da empresa abrange uma variedade de dispositivos de comunicação por micro-ondas, incluindo antenas anti-encravamento, amplificadores de potência RF, módulos T/R, VCO/DROs, filtros de microondas, duplexadores, fontes de frequência e subsistemas relacionados, amplamente utilizados em comunicações móveis, radar e outros campos.

Para atender às necessidades especiais e aos requisitos mais altos dos clientes, além dos produtos padrão, fornecemos métodos personalizados de desenvolvimento de produtos.  Fornecemos sempre aos clientes produtos e serviços rápidos e de alta qualidade.


0.8-3GHz 33dBm RF Input Power 2&mu; S Switch Speed M*N Microwave Test Subsystem
0.8-3GHz 33dBm RF Input Power 2&mu; S Switch Speed M*N Microwave Test Subsystem
0.8-3GHz 33dBm RF Input Power 2&mu; S Switch Speed M*N Microwave Test Subsystem
0.8-3GHz 33dBm RF Input Power 2&mu; S Switch Speed M*N Microwave Test Subsystem

P&R:

P1. Posso obter uma amostra antes da encomenda em lote?
Sim, oferecemos a amostra para todos os modelos, mas carregada.

P2. O que devo fazer se não souber a frequência no meu país?

Por favor, sinta-se à vontade para nos contactar com a sua questão, vamos encontrar a frequência de que necessita e oferecer ajuda para os seus problemas.  


P3. Você aceita o pedido OEM/ODM?
Sim, podemos personalizar o logótipo, as cores e as frequências da marca.

 

P4. Data de Envio

Amostra 20 dias úteis
≤ 50 unid 60 dias úteis
> 50 peças 90 dias úteis
> 200 peças Negociar

P5: Data de entrega da amostra pela DHL/FedEx
EUA/Canadá/Europa/Ásia 3-5 dias
Médio Oriente/América Latina 5-7 dias
Africano 3-7 dias

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