Certification: | ISO |
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Encapsulation Structure: | Chip Transistor |
Installation: | SMD Triode |
Working Frequency: | Overclocking |
Power Level: | High Power |
Function: | Power Triode |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
Digite
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Descrição
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Categoria
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Placa de produtos semicondutores
Transístores
FETs, MOSFETs
FETs único, MOSFETs
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Mfr
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International Rectifier
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Series
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HEXFET®
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Package
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O tubo
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Status do produto
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Obsoleto
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Tipo de FET
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N-Channel
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Technology
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Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
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Drene a tensão da fonte (Vdss)
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60 V
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- Drenagem contínua (ID) @ 25°C
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120A (Tc)
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Tensão de acionamento (Max Rds no, Min Rds No)
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10V
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Rds no (Max) ID @, Vgs
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4.2MOhm @ 75A, 10V
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Vgs (Th) (Max) ID @
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4V @ 150 µA
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Taxa de injeção (QG) (máx.) @ Vgs
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120 nf @ 10 V
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Vgs (Max)
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±20V
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Capacitância de Entrada (Os Ciss) (máx.) @ VDS
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4520 pF @ 50 V
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Recurso de FET
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-
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Dissipação de energia (Max)
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230W (Tc)
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A temperatura de operação
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-55 °C ~ 175°C (TJ)
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Tipo de montagem
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Suporte para montagem saliente
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Fornecedor do pacote do dispositivo
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D2PAK
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Package / Case
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Para-263-3, D²Pak (2 derivações + Tab),-263AB
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Fornecedores com licênças comerciais verificadas