Revestimento metálico: | Cobre |
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Modo de Produção: | SMT |
Camadas: | Multilayer |
Material de Base: | FR-4 |
Certificação: | RoHS, CCC, ISO |
Personalizado: | Personalizado |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
Itens | EspecificaçõEs | ||
Bateria de iõEs de líTio/PolíMero de líTio | LiFePO | ||
Interface de comunicaçãO | O SMBus | ||
Capacidade | Projetando a capacidade da bateria(PCM) | 30Ah | |
Capacidade máXima (bateria) | 32000 mAh | ||
Min capacidade(Bateria) | 1000mAh | ||
IndicaçãO de capacidade externa | LED e LCD,SOC | ||
Algoritmo de medidor de gáS | Vdfc | ||
A tensãO | TensãO de Carga | CC/CV:16,8V(4.2V/céLula) | CC/CV:14,4V(3,6 V/céLula) |
Janela de equilíBrio de céLulas | 50 mV ±10% | ||
TensãO de liberaçãO de equilíBrio de céLulas | 20 mV ±10% | ||
EquilíBrio de céLulas de tempo de atraso de detecçãO | 0.5~2s | ||
Actuais | Corrente do balançO de uma úNica céLula | 66±5mA | 56±5mA |
Corrente no modo de operaçãO normal Medidor de gáS (IC) |
500 uA | ||
Corrente de modo de funcionamento do sono Medidor de gáS (IC) |
200 uA | ||
Modo de funcionamento do sono total actual Medidor de gáS (IC) |
1 uA | ||
Corrente de carga contíNua máXima | 15A | ||
Corrente de descarga contíNua máXima | 15A | ||
Sobre a proteçãO de carga | Sobre a tensãO de detecçãO de carga | 4.25±0,025V | 3,80±0,05V |
Ao longo do tempo de atraso de detecçãO de carga | 1~2S | 1~2S | |
Sobre a tensãO de liberaçãO de carga | 4,05±0,05V | 3,55±0,05V | |
Sobre a protecçãO de descarga | Sobre a tensãO de detecçãO de descarga | 2,5±0,07V | 2,00±0,05V |
Ao longo do tempo de atraso de detecçãO de descarga | 1~2S | 1~2S | |
Sobre a quitaçãO a tensãO de liberaçãO | 3.0±0.1V | 2.7±0,05V | |
ProteçãO de sobrecorrente | TensãO de detecçãO de sobrecorrente | 0,2±0,015 V | |
Corrente de detecçãO de sobrecorrente | 40±5A.AjustáVel) | ||
Tempo de atraso de detecçãO | 5~60ms | ||
CondiçãO de liberaçãO | Carga de corte | ||
ProteçãO de curto | CondiçãO de detecçãO | Curto-circuito exterior | |
Tempo de atraso de detecçãO | 200-800us | ||
CondiçãO de liberaçãO | Carga de corte | ||
ResistêNcia | Os circuitos de proteçãO (MOSFET)B+ para P+ | ≤50mΩ | |
ProtecçãO de temperatura | ProtecçãO de temperatura de carga | 60ºC ±5ºC | |
Temperatura de liberaçãO de carga | 50ºC ±5ºC | ||
ProtecçãO de temperatura de descarga | 65ºC ±5ºC | ||
Temperatura de liberaçãO de descarga | 55ºC ±5ºC | ||
Faixa de temperatura operacional | -40~+85ºC | ||
Faixa de temperatura de armazenamento | -40~+125ºC | ||
A cota | L165*W64*T10mm |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas