forma: | SMD |
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técnica: | Semiconductor IC |
Application: | Standard Generalized Integrated Circuit |
Type: | 3-Phase Half-Bridge Gate-Drive IC |
tempo de subida: | 50 ns |
tempo de queda: | 30 ns |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
O VENTILADOR73892 é um circuito monolítico três meias-bridge gate-drive IC projetado para alta tensão e de alta velocidade, MOSFETs de condução e IGBTs operando até+ 600 V. da Fairchild processo de alta tensão e de modo comum técnica com cancelamento de ruído fornecer estável
Funcionamento dos drivers do lado de alta sob alta-dv/dt circunstâncias de ruído.Um circuito de mudança de nível avançado permite que o driver da porta do lado de alta operação VS = -9.8 V (típica) para VBS =15 V.as funções de protecção incluem sob tensão e bloqueio de viagem de sobrecorrente do inversor com uma função faultclear automática. Proteção de sobrecorrente que encerra todas as seis saídas podem ser derivadas de um resistor currentsense externo. Um sinal de falha de drenagem aberta é fornecido para indicar que uma sobrecorrente ou desligamento de subtensão
Ocorreu. Os circuitos UVLO evitar o mau funcionamento quando VDD e VBS são inferiores ao limiar de tensão.fonte tipicamente de Saída e pia 350 mA e 650 mA, respectivamente; que é adequado para três meias-bridge aplicações em sistemas de acionamento do motor.
1.o diagrama de PIN:
2.As Classificações máximo absoluto:
Salienta que excedam o máximo absoluto as classificações poderão danificar o dispositivo. O dispositivo pode não funcionar ou ser
Operáveis acima das condições operacionais recomendadas e salientando as peças para estes níveis não é recomendado.
Além disso, a exposição prolongada a sublinha acima das condições operacionais recomendadas pode afetar a confiabilidade do dispositivo.
O máximo absoluto as classificações são apenas as classificações de estresse. TA = 25 °C, salvo especificação em contrário.
Símbolo | O parâmetro | Min. | Max. | Unidade |
Vs | Do lado de alta tensão de Offset Flutuante | VB1,2,3-25 | VB1,2,3+0.3 | V |
Vb | Do Lado de Alta Tensão de Alimentação Flutuante | -0,3 | 625.0 | V |
Vdd | Tensão de alimentação Logic-Fixed Low-Side e | -0,3 | 25.0 | V |
V(ho) | Do lado de alta tensão de saída flutuante VHO1,2,3 | VS1,2,3-0,3 | VB1,2,3+0.3 | V |
V(eis) | Saída Flutuante VoltageVLO low-side1,2,3 | -0,3 | +0.3 VDD | V |
V(a) | Tensão de entrada ( , , CS e PT) | -0,3 | 5.5 | V |
V(FO) | Tensão de saída de falha ( FO) | -0,3 | +0.3 VDD | V |
A PW(HIM ) | Entrada do Lado de Alta Largura de Pulso | 500 | Ns | |
O dVs/dt | Admissíveis de tensão de compensação slew rate | ±50 | V/ns | |
P(D) | Dissipação de potência(2,3) | 1.4 | W | |
Θ(JA) | Resistência térmica | 70 | °C/W | |
T(J) | Temperatura da junção | 150 | °C | |
T(STG ) | Temperatura de armazenamento | -55 | 150 | °C |
Notas:
2. Montado em 76,2 x 114,3 x 1,6mm PCB (PE-4 material epóxi de vidro). Consulte as seguintes normas:
Circuito Integral JESD51-2: método de teste térmico da condições ambientais, convecção natural;
JESD51-3: baixa condutividade térmica efetiva da placa de teste para pacotes de montagem em superfície com chumbo.
3. Não deve exceder o máximo de dissipação de energia (PD) sob quaisquer circunstâncias.
3.Características elétricas:
VBIAS (VDD, VBS1,2,3) = 15,0 V e TA = 25 °C, salvo especificação em contrário. O VIN E IIN parâmetros são referenciados com e são aplicáveis a todos os seis canais. A VO e parâmetros de IO são referenciados para VS1,2,3 e COM e são aplicáveis aos respectivos fios de saída: HO1,2,3 e lo1,2,3. Os parâmetros VDDUV são referenciados para COM. Os parâmetros VBSUV são referenciados para VS1,2,3.
Símbolo | O parâmetro | Estado | Min. | Typ. | Max. | Unidade |
Secção de alimentação Low-Side | ||||||
I(QDD) | Quiescentes V(DD) Corrente de alimentação | V(LIN1,2,3)=0 V ou 5 V, PT = 0 V | 200 | ΜA | ||
I(PDD) | Operando V(DD) Corrente de alimentação | F(LIN1,2,3)=20 kHz, valor rms | 500 | ΜA | ||
V(DDUV+) |
V(DD) Fornecimento Under-Voltage Limiar Positive-Going |
V(dd)Sweep | 7.5 | 8.5 | 9.3 | V |
V(DDUV-) | V(dd)Under-Voltage Limiar Negative-Going Alimentação | V(DD)=Sweep | 7.0 | 8.0 | 8.7 | V |
V(DDHYS) |
V(DD) Fornecimento Under-Voltage histerese de bloqueio | V(DD)=Sweep | 0.5 | V | ||
Secção de alimentação Bootstrapped | ||||||
V(BSUV+) |
V(BS) Fornecimento Under-Voltage Positive-Going Limiar |
V(BS1,2,3)=Sweep | 7.5 | 8.5 | 9.3 | V |
V(BSUV-) | V(BS)Under-Voltage Alimentação Limiar Negative-Going |
V(BS1,2,3)=Sweep | 7.0 | 8.0 | 8.7 | V |
V(BSHYS) |
V(BS) Fornecimento Under-Voltage histerese de bloqueio | V(BS1,2,3)=Sweep | 0.5 | V | ||
I(LC) | Alimentação de corrente Leakag Offset | V(B1,2,3)=V(S1,2,3)=600 V | 10 | ΜA | ||
I(QBS) | Quiescentes V(BS) Corrente de alimentação | V(HIM1,2,3)=0 V ou 5 V, PT = 0 V | 10 | 50 | 80 | ΜA |
I(PBS) | Operando V(BS) Corrente de alimentação | F(HIM1,2,3)=20 kHz, valor rms | 200 | 320 | 480 | ΜA |
Secção de Saída do acionador da tampa | ||||||
V(OH) | Tensão de saída de alto nível, V(bias)-V(S ) | I(O)=0 mA (Sem Carga) | 100 | MV | ||
V(OL) | Tensão de saída básico, V(O) | I(O)=0 mA (Sem Carga) | 100 | MV | ||
I(S+) | Saída Alta corrente de Pulso Short-Circuit(4) | V(O)=15 V, V(em)=0 V com A PW≤ 10 µs |
250 | 350 | MA | |
I(S)- | Saída baixa corrente impulsada Short-Circuit(4) | V(O) = 0 V, V(em) = 5 V com a PW≤ 10 µs | 500 | 650 | MA | |
V(S) |
Tensão do pino de VS negativo admissível para HIM A propagação do sinal de HO |
-9.8 | -7,0 | V | ||
Secção de entrada lógica | ||||||
V(CASE IH) | Logic 0 Tensão de Entrada | 2.5 | V | |||
V(IL) | Logic 1 Tensão de Entrada | 0.8 | V | |||
I(Na+) | A corrente de polarização de entrada lógica (Ho = LO=Alto) | V(em) = 0 V | 100 | ΜA | ||
I(a) | A corrente de polarização de entrada lógica (Ho = LO=Baixo) | V(em) = 5 V | 8.5 | 25 | ΜA | |
R(A) | Entrada lógica Pull-Up Resistência | 50 | KΩ | |||
Seção de Controle de ativação (PT) | ||||||
V(PT+) | O Positive-Going tensão de limiar | 2.5 | V | |||
V(EN-) | O Negative-Going tensão de limiar | 0.8 | V | |||
I PT+) | Ativação lógica de "1" a corrente de polarização de entrada | V(EN)=5 V (suspenso=150KΩ) | 33 | ΜA | ||
I(EN-) | Ativação lógica de "0" a corrente de polarização de entrada | V(EN) = 0 V | 2 | ΜA | ||
Seção proteção contra sobrecorrente | ||||||
V(CSTH+) | Detecção de sobrecorrente limiar positiva(4) | 400 | 500 | 600 | MV | |
V(CSTH-) | Detecção de sobrecorrente limite negativo(4) | 440 | MV | |||
V(CSHYS) | Histerese de detecção de sobrecorrente(4) | 60 | MV | |||
I(CSIN) | Corrente de entrada Short-Circuit | V(CSIN) = 1 V | 5 | 10 | 15 | ΜA |
I(macia) | Absorção de corrente Turn-Off suave | 25 | 40 | 55 | MA | |
A seção de saída de falha | ||||||
V(RCINTH+) | Tensão de limiar Positive-Going RCIN | 3.3 | V | |||
V(RCINTH-) | Tensão de limiar Negative-Going RCIN | 2.6 | V | |||
V(RCINHYS) | Tensão de histerese RCIN | 0.7 | V | |||
I(RCIN) | Fonte de corrente interna RCIN | C(RCIN)=2 nF | 3 | 5 | 7 | ΜA |
V(Seguinte) | Avaria na saída a tensão de baixo nível de VCS = 1 V, IFO=1,5 mA | 0.2 | 0.5 | V | ||
R(DSRCIN) | RCIN sobre a resistência | I(RCIN)=1,5 mA | 50 | 75 | 100 | Ω |
R(DSFO) | Avaria na saída sobre a resistência | I(FO)=1,5 mA | 90 | 130 | 170 | Ω |
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