Manga cerâmica metalizada de óxido de beo/berílio

• Aplicação: Isoladores, Isolamento de Enrolamento Elétrico, Base, Escudo de Elétrica, Tinta Isolante, Placa de Base de Interruptor
• Tipo: Filme de Isolamento
• Química: High Thermal Conductivity
• Material: Eryllium Oxide
• Avaliação térmica: 1800 Degree C
• Tensão máxima: <10KV
• N ° de Modelo.: RY-T040
• Classificação: Heat Resistance
• Certificação: ISO9001
• Cor: Branco
• Marca: Ry
• Pacote de Transporte: PE Bag and Carton
• Especificação: customized
• Origem: Hunan
• Código HS: 854710000
• Capacidade de Produção: 10000 PCS Per Month

Descrição de Produto

Substrato cerâmico BEO  
1. Alumina (substrato Al2O3)
O substrato Al2O3 é o substrato cerâmico mais popular, com excelente calor
resistência, alta resistência mecânica, resistência à abrasão e dielétrico pequeno
Perda. A superfície do substrato de alumina é bastante lisa e baixa porosidade 99.6%
o substrato de alumina é adequado para dispositivo de película fina, sendo que o substrato de alumina a 96% é adequado  para aplicação de dispositivo de película espessa.
 
2. Nitreto de alumínio (substrato AlN)
O alumínio Nitrida tem uma condutividade térmica superior, em comparação com o substrato de alumina. É  aproximadamente 7 a 8 vezes alto. O substrato ALN é um excelente material de embalagem electrónico.
 
3. Zirconia (substrato ZrO2)
Comparado com o substrato de alumina, o substrato de ZrO2 tem maior resistência mecânica e  resistência à fratura é cerca de três vezes maior para resistência à flexão, duas vezes para  resistência à fratura do que o substrato de alumina. O ZrO2 (zircónio) também proporciona uma boa resistência à abrasão. Possui uma taxa de expansão térmica próxima de metais.
 

Propriedades de substratos cerâmicos
Materiais	Al2O3		ALN	ZrO2
	96%	99.60%
Cor	Branco	Branco	Cinzento	Branco
Densidade (g/cm 3)	3.72	3.85	3.3	6.04
Condutividade térmica (W/m. K)	22.3	29.5	160 -190	2.4
Expansão térmica (x10 -6/o C)	8	8.2	4.6	10
Resistência dieléctrica	07	07	07
Constante dieléctrica (a 1 MHZ)	9.5	9.8	8.7	29
Tangente de perda (x10 -4 a 1 MHZ)	3	2	5	1.00E-03
Resistividade do volume (ohm-m)	> 10 14	> 10 14	> 10 14
Resistência flexural (N/mm 2)	350	500	450