Substrato de aquecimento em cerâmica

• Aplicação: Isoladores, Isolamento de Enrolamento Elétrico, Isolamento de Revestimento de Enrolamento de Fio, Base, Escudo de Elétrica, Motor, Tinta Isolante, Placa de Base de Interruptor
• Tipo: Filme de Isolamento
• Química: Plate Substrate
• Material: Cerâmica
• Avaliação térmica: 250 250
• Tensão máxima: 20KV~100KV
• N ° de Modelo.: RY-T156
• Classificação: Materiais de isolamento híbridos
• Certificação: UL, ISO9001, SGS
• Cor: Branco
• Marca: Ry
• Pacote de Transporte: Wooden Box Packing
• Especificação: customized
• Origem: China
• Código HS: 854710000
• Capacidade de Produção: 5000000PCS Per Month

Descrição de Produto

 

Substrato de cerâmica
1. Alumina (Al2O3 substrato )
Al2O3 é o mais popular do substrato substrato cerâmico, com calor excelente
Resistência, alta resistência mecânica, resistência à abrasão e pequenos rigidez dielétrica
Perda.A superfície do substrato de alumina é bastante suave e baixa porosidade.99,6%
Substrato de alumina é adequado para o dispositivo de película fina, 96% com substrato de alumina é adequada para o aplicativo de dispositivo de filme espesso .
 
2. O nitreto de alumínio ( AlN substrato )
O nitreto de alumínio tem maior condutividade térmica, comparado ao substrato de alumina. É cerca de 7 a 8 vezes superior. Substrato de AlN é um excelente pacote eletrônico material.
 
3. O zircão ( ZrO2 substrato )
Em relação ao substrato de alumina, ZrO2 substrato tem maior resistência mecânica e a resistência à ruptura é cerca de três vezes maior para a resistência à flexão, duas vezes para a resistência à ruptura de substrato de alumina. ZrO2( zircão ) também oferece boa resistência à abrasão. Possui uma taxa de expansão térmica perto de metais.
 

Propriedades de substratos de cerâmica
Materiais	Al2O3		AlN	ZrO2
	96%	99.60%
Color	White	White	Gray	White
Densidade (g/cm 3 )	3.72	3.85	3.3	6.04
Condutividade térmica (W/m . K)	22.3	29.5	160 -190	2.4
Expansão Térmica (x10 -6 / o C)	8	8.2	4.6	10
Resistência dielétrica	1,40 e+07	1,80E+07	1,40 e+07
Constante dielétrica (a 1MHZ)	9.5	9.8	8.7	29
Perda tangente (x10 -4 a 1 Mhz)	3	2	5	1.00E-03
Resistividade de volume (ohm-m)	>10 14	>10 14	>10 14
Força flexural (N/mm 2 )	350	500	450