Chip de DRAM W9751G6KB-25I W9751G6KB25I-TR SDRAM DDR2 IC de Memória

Detalhes do produto
Costumização: Disponível
Tipo Condutivo: Circuito Integrado Bipolar
Integração: MSI
Membro Diamante Desde 2018

Fornecedores com licênças comerciais verificadas

Fornecedor Auditado Fornecedor Auditado

Auditado por uma agência de inspeção terceirizada independente

Certificação de Sistema de Gestão
Outras
Endereço
Rm407, No. 103, Lijia Road, Henggang Street, Longgang District, 518115, Shenzhen, ...
Número de Funcionários de Comércio Exterior
1
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Informação Básica

N ° de Modelo.
W9751G6KB-25I
Técnicas
Circuito integrado de semicondutor
mfg.
winbond
d/c
12+
pacote
bga
qualidade
original novo genuíno
forma
smd
Pacote de Transporte
caixa
Especificação
matéria-prima: silício
Origem
China
Código HS
8542390000
Capacidade de Produção
10000 000 peças

Descrição de Produto

Descrição

W9751G6KB-25I:  DRAM Chip DDR2 SDRAM de 512 Mbit 32Mx16 1,8 V 84 pinos WBGA

Pacote: BGA

MFR. Parte #: W9751G6KB-25I

MFR.: WINBOND

Folha de dados:  DRAM Chip W9751G6KB-25I W9751G6KB25I-TR SDRAM DDR2 Memory IC(Envie-nos um e-mail ou converse-nos para ficheiro PDF)

Estado RoHS:  DRAM Chip W9751G6KB-25I W9751G6KB25I-TR SDRAM DDR2 Memory IC

Qualidade: 100% original

Garantia: 180 dias
 

Estado do produto
Obsoleto
 
Tipo de memória
Volátil
 
Formato da memória
DRAM
 
Tecnologia
SDRAM - DDR2
 
Tamanho da memória
512 Mbit
 
Organização da memória
32 M x 16
 
Interface de memória
Paralelo
 
Frequência do relógio
400 MHz
 
Tempo de ciclo de gravação - Word, Página
15 ns
 
Tempo de acesso
400 cv
 
Tensão - alimentação
1,7V ~ 1,9V
 
Temperatura de funcionamento
-40 ° C ~ 95 ° C (TC)
 
Tipo de montagem
Montagem saliente
 
Pacote/caixa
84-TFBGA
 
Pacote de dispositivo do fornecedor
84 WBGA (8x12,5)
 
Número de produto base
W9751G6



 

O W9751G6KB é uma SDRAM DDR2 de 512 M bits, organizada como 8.388.608 palavras x 4 bancos x 16 bits. Este dispositivo atinge taxas de transferência de alta velocidade de até 1066 Mb/seg/pino (DDR2-1066) para aplicações gerais. W9751G6KB é classificado nas seguintes classes de velocidade: -18. 181, -25, 25L. 251 e -3. As peças de grau -18/181 estão em conformidade com a especificação DDR2-1066 (7-7-7) (a classe industrial 181 que é garantida para suportar -40 ° C £ Tcase < 95 ° C). As peças de grau -25/25L/25I estão em conformidade com a especificação DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (6-6-6) (a classe industrial 251 que é garantida para suportar -40 ° C £ estojo £ 95 ° C). As peças de grau -3 são compatíveis com a especificação DDR2-667 (5-5-5).

Todas as entradas de controle e endereço são sincronizadas com um par de relógios diferenciais fornecidos externamente. As entradas são travadas no ponto cruzado dos relógios diferenciais (CLK Rising e CLK Falling). Todos os e/S são sincronizados com um par DQS ou DQS-DQS diferencial de uma forma síncrona de origem.

 

Principais características

  • Fonte de alimentação: VDD, Vddq 1.8 ± V 0,1 V.
  • Arquitetura de taxa de dados dupla: Duas transferências de dados por ciclo de clock
  • Latência CAS: 3, 4, 5, 6 e 7
  • Comprimento de disparo: 4 e 8
  • Estrobes de dados diferenciais bidireccionais (DQS e DQS) são transmitidos/recebidos com dados
  • Alinhado com a borda com ler dados e alinhado com o centro com escrever dados
  • A DLL alinha as transições DQ e DQS com o relógio
  • Entradas de relógio diferencial (CLK e CLK)
  • Máscaras de dados (DM) para dados de escrita
  • Os comandos inseridos em cada borda CLK positiva, dados e máscara de dados são referenciados a ambas as bordas do DQS
  • Latência aditiva programável CAS postada suportada para fazer o comando e. eficiência do barramento de dados
  • Latência de leitura: Latência aditiva mais latência CAS (L)
  • OFF-Chip - Ajuste de impedância do driver (OCD) e On-Die-Termination (ODT) para um melhor sinal qualidade
  • Operação de pré-carregamento automático para sequências de leitura e gravação
  • Modos de atualização automática e atualização automática
  • Desativação pré-carregada e desativação ativa
  • Escrever máscara de dados
  • A latência de gravação é de leitura da latência -1 (WL: RL-1)
  • Interface: SSTL_18
  • Embalados em bola WBGA 84 (8X12,5 mm2), utilizando materiais sem chumbo em conformidade com RoHS

Linha de produto da empresa


DRAM Chip W9751G6KB-25I W9751G6KB25I-TR SDRAM DDR2 Memory IC







 


DRAM Chip W9751G6KB-25I W9751G6KB25I-TR SDRAM DDR2 Memory IC


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Certificados

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