FM24CL64B-GTR FRAM 64Kbit Serial-2Wire Circuito Integrado de Interface

• Costumização: Disponível
• Tipo condutivo: Circuito Integrado Bipolar
• Integração: MSI
• N ° de Modelo.: FM24CL64B-GTR
• Técnicas: Circuito integrado de semicondutores
• mfg.: cypress
• d/c: 22+
• pacote: soic8
• qualidade: original novo genuíno
• forma: plano
• Pacote de Transporte: caixa
• Origem: China
• Código HS: 8542399000
• Capacidade de Produção: 10000 000 peças

Descrição de Produto

Descrição

FM24CL64B - GTR:  Memória RAM (RAM Ferroeléctrica) IC 64Kbit I²C 1 MHz 550 ns 8-SOIC

MFR. # de peças: FM24CL64B - GTR

MFR.: OMRON

Folha de dados:  (Envie-nos um e-mail ou converse-nos para ficheiro PDF)

Estado ROHS:  

Qualidade: 100% original

Garantia: UM ANO
 

Estado do produto	Activo
Tipo de memória	Não volátil
Formato da memória	FRAM
Tecnologia	FRAM (RAM Ferroeléctrica)
Tamanho da memória	64 kbit
Organização da memória	8 K x 8
Interface de memória	I²C
Frequência do relógio	1 MHz
Tempo de ciclo de gravação - Word, Página	-
Tempo de acesso	550 ns
Tensão - alimentação	2,7V ~ 3,65V
Temperatura de funcionamento	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)
Tipo de montagem	Montagem saliente
Pacote/caixa	8-SOIC (0.154", 3,90 mm de largura)
Pacote de dispositivo do fornecedor	8-SOIC
Número de produto base	FM24CL64

A FM24CL64B é uma memória não volátil de 64 Kbit que emprega um processo ferrelétrico avançado. Uma memória de acesso aleatório ferrelétrico ou F-RAM é não volátil e executa leituras e gravações semelhantes a uma RAM. Ele fornece retenção de dados confiável por 151 anos, ao mesmo tempo em que elimina as complexidades, a sobrecarga e os problemas de confiabilidade no nível do sistema causados pela EEPROM e outras memórias não voláteis. Ao contrário da EEPROM, o FM24CL64B executa operações de escrita na velocidade do barramento. Não são incorridos atrasos de escrita. Os dados são gravados na matriz de memória imediatamente após cada byte ser transferido com êxito para o dispositivo. O próximo ciclo de barramento pode começar sem a necessidade de polling de dados. Além disso, o produto oferece uma resistência de escrita substancial em comparação com outras memórias não voláteis. Além disso, a F-RAM exibe uma potência muito menor durante gravações que a EEPROM, uma vez que as operações de gravação não exigem uma tensão de alimentação interna elevada para os circuitos de gravação. O FM24CL64B é capaz de suportar 1014 ciclos de leitura/gravação, ou 100 milhões vezes mais ciclos de gravação do que o EEPROM. Esses recursos tornam o FM24CL64B ideal para aplicativos de memória não-volátil, que exigem gravações frequentes ou rápidas. Os exemplos vão desde o registo de dados, onde o número de ciclos de escrita pode ser crítico, até aos controlos industriais exigentes, onde o longo tempo de escrita da EEPROM pode causar perda de dados. A combinação de funcionalidades permite uma escrita de dados mais frequente com menos sobrecarga para o sistema. O FM24CL64B oferece benefícios substanciais aos usuários da EEPROM serial (I2C) como uma substituição de entrega de hardware. As especificações do dispositivo são garantidas numa gama de temperaturas industriais de -40 ºC a 85 ºC.

 

 

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