Manufacturing Technology: | Discrete Device |
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Material: | Element Semiconductor |
Type: | P-type Semiconductor |
Package: | QFP/PFP |
Signal Processing: | Simulation |
Application: | Refrigerator |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
DADOS MECÂNICOS
• Case: Transferir plástico moldado
• Epoxy: UL94V - 0 taxa retardante de chamas.
• polaridade: A banda de cores denota a extremidade catódica
• chumbo: Cabo axial revestido, soldável de acordo com mil-STD-202E
Método 208C
• posição de montagem: Qualquer
• peso: 0.012 onças, 0,33 grames
MÁXIMO DE RATINGES E CARÁCTER ELÉCTRICO
• valores nominais a uma temperatura ambiente de 25 ° C, salvo especificação em contrário
• fase única, meia onda, 60 HZ, carga resistiva ou indutiva.
• para corrente de redução de carga capacitiva em 20%
|
SÍMBOLOS |
1N4001 |
1N4002 |
1N4003 |
1N4004 |
1N4005 |
1N4006 |
1N4007 |
UNIDADE |
|
Tensão máxima de inversão de pico repetitivo |
VRRM |
50 |
100 |
200 |
400 |
600 |
800 |
1000 |
Volts |
|
Tensão RMS máxima |
VRMS |
35 |
70 |
140 |
280 |
420 |
560 |
700 |
Volts |
|
Tensão de bloqueio DC máxima |
VDC (VCC) |
50 |
100 |
200 |
400 |
600 |
800 |
1000 |
Volts |
|
Corrente máxima retificada dianteira média, comprimento de cabo de 0.375 ″ (9,5mm) a TA 75 ° C |
I (AV) |
1.0 |
Amperes |
|||||||
Pico de corrente de pico de avanço Onda sinusoidal única de 8,3 ms sobreposta à carga nominal (método JEDEC) |
IFSM |
30 |
Amperes |
|||||||
Tensão de avanço instantânea máxima a 1,0A |
VF |
1.1 |
Volts |
|||||||
Corrente de recuo DC máxima à tensão de bloqueio DC nominal |
TA 25 ° C
|
IV |
5.0 |
UA |
||||||
TA 100 ° C |
50 |
UA |
||||||||
Corrente máxima de inversão de carga total, duração média do ciclo completo de 0.375 ″ (9,5mm) de comprimento de cabo a TL 75 ° C |
IV (AV) |
30 |
UA |
|||||||
Capacidade de junção típica (Nota 1) |
CJ |
15 |
PF |
|||||||
Resistência térmica típica (Nota 2) |
RJA |
50 |
° C/W |
|||||||
Intervalo de temperatura de funcionamento e armazenamento |
TJ |
(-65 a 175) |
° C |
|||||||
Intervalo de temperatura de armazenamento |
TSTG |
(-65 a 175) |
° C |
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