Tipo de memória: | DDR3 |
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Aplicação: | Desktop |
Capacidade de memória: | 4G |
Freqüência: | 1600MHz |
Pino: | 240 |
Modo de operar: | SDRAM |
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RAM DDR3 4 GB, 1600MHz PC3-12800, 1.5V, computador DIMM Memória RAM de 240 pinos
Nome da marca | DDR RAM (RAM DDR) |
Tipo de interface | DDR, DDR2, DDR3, DDR4, DDR5 |
Velocidade da memória | 800 mhz/1333 mhz/1600 mhz/2400 mhz/2666 mhz/3200mhz |
Tensão | 1,2V/1,35V/1,5V/1,8V |
Chips de memória | Samsung, Micron, Intel, etc. |
Aplicação | Computador de secretária/portátil |
Capacidade RAM | 2 GB / 4 GB / 8 GB / 16 GB / 32 GB |
Termos de envio | DHL, UPS, TNT, EMS, FedEx ou por mar |
Prazo | Abaixo de 1K: 3-5 dias, acima de 1K-5K confirmar conosco |
Embalagem normal | Embalagem blister ou caixa rígida 50 unidades/caixa |
Dimensões | 133 * 31 * 1,5 mm |
Peso | 12 g/peças |
Desempenho | |
Leitura sustentada: | Até 520 MB/s |
Escrita sustentada: | Até 400 MB/s |
Leitura aleatória de 4 KB: | Até 7400 IOPS |
4KB escrita aleatória: | Até 6300 IOPS |
Tempo médio de acesso: | 0,1s |
Características eléctricas | |
Temperatura de funcionamento: | 0 ~ 85 ° C |
Tensão de funcionamento: | 1,2V/1,35V/1,5V/1,8V |
A DDR3 (Double Data Rate 3) é a terceira geração da tecnologia de memória de acesso aleatório dinâmico síncrono (SDRAM), oferecendo várias características principais:
Maior largura de banda e velocidade: A DDR3 oferece taxas de transferência de dados mais rápidas em comparação com a DDR2. Normalmente funciona a velocidades entre 800 MT/s e 2133 MT/s. Essa melhoria na velocidade traduz-se em melhor desempenho para aplicativos que exigem alta largura de banda de memória.
Menor consumo de energia: A DDR3 opera com uma tensão mais baixa (padrão de 1,5 V, com versões de baixa tensão de 1,35 V e 1,25 V) em comparação com os 1,8 V da DDR2. Esta redução na tensão resulta num menor consumo de energia e na geração de calor, tornando-a mais eficiente e adequada para aplicações móveis e com consciência energética.
Densidade mais alta: A DDR3 suporta maiores capacidades de memória por módulo, com capacidades comuns que variam de 1 GB a 16 GB por DIMM. Isso permite que os sistemas manipulam cargas de trabalho maiores e aplicativos mais exigentes.
Latência melhorada: Embora a DDR3 tenha uma latência ligeiramente superior em comparação com a DDR2, o aumento da velocidade compensa esta situação, resultando num melhor desempenho geral. A latência CAS típica (CL) para DDR3 varia de 9 a 15.
Buffer de pré-obtenção de 8 bits: A DDR3 usa uma arquitetura de pré-obtenção 8n, o que significa que pode transferir 8 bits de dados por ciclo de clock por pino de dados. Essa melhoria em relação à pré-busca de 4 bits da DDR2 contribui para maiores taxas de transferência de dados e melhorias gerais de desempenho.
Integridade de sinal aprimorada: A DDR3 incorpora topologia "fly-by" para sinais de comando e endereço, o que ajuda a melhorar a integridade e o tempo do sinal. Esse design reduz a complexidade do roteamento de rastreamento da motherboard e aumenta a estabilidade geral do sistema.
Compatibilidade com versões anteriores: A DDR3 não é compatível com DDR2 devido a diferentes configurações de pinos, tensões de sinalização e outras diferenças elétricas. No entanto, as melhorias no design oferecem vantagens significativas em termos de desempenho e eficiência.
Aqui estão as principais especificações e parâmetros da memória DDR3 (Double Data Rate 3):
Taxa de transferência de dados:
Capacidade de memória:
Tensão:
Comprimento de disparo:
Latência:
Módulos e contagem de pinos:
Largura de banda:
Consumo de energia:
Correção de erros:
Taxa de atualização:
PERGUNTAS FREQUENTES
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