Fornecedores com licênças comerciais verificadas
Fornecedor Auditado | Atributo do produto | Valor do atributo | Selecione Atributo |
|---|---|---|
| Fabricante: | Infineon | |
| Categoria do produto: | MOSFET | |
| RoHS: | Detalhes | |
| Tecnologia: | Si | |
| Estilo de montagem: | Através do orifício | |
| Embalagem/caixa: | A -220-3 | |
| Polaridade do transístor: | N-Channel (Canal N) | |
| Número de canais: | 1 Canal | |
| VDS - drenagem - Tensão de avaria da fonte: | 100 V | |
| ID - corrente de purga contínua: | 57 A. | |
| RDS On-Drain - resistência da fonte: | 23 mOhms | |
| VGS - porta - Tensão de fonte: | - 20 V, 20 V | |
| VGS TH-Gate - Tensão de limiar da fonte: | 4 V. | |
| QG - carregamento da porta: | 86.7 NC | |
| Temperatura mínima de funcionamento: | - 55 C | |
| Temperatura máxima de funcionamento: | 175 C | |
| Dissipação de energia PD: | 200 W | |
| Modo de canal: | Melhoria | |
| Embalagem: | Tubo | |
| Marca: | Infineon Technologies | |
| Configuração: | Único | |
| Altura: | 15.65 mm | |
| Comprimento: | 10 mm | |
| Tipo de produto: | MOSFET | |
| Quantidade da embalagem de fábrica: | 1000 | |
| Subcategoria: | MOSFETs | |
| Tipo de transístor: | 1 N - Canal | |
| Largura: | 4.4 mm |
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