100 A, modo de melhoramento N, 68 V, MOSFET de potência Dh100n06f a -220

• Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
• Material: Metal-Oxide Semiconductor
• Tipo: Semicondutor Tipo N
• Pacote: to-220f
• Aplicação: Power Switching, Converters,Full Bridge Control
• Modelo: Dh100n06f
• N ° de Modelo.: DH100N06F
• Número de lote: 2021
• Marca: Wxdh
• Pacote de Transporte: by Sea, Packing
• Marca Registrada: WXDH
• Origem: Wuxi, China
• Código HS: 8541290000

Descrição de Produto

 

Descrição

Estes mosfets de potência de modo de melhoramento N-canal utilizaram um design avançado de tecnologia de trincheira, que é excelente
Carga baixa de carga de carga de carga de carga de carga de carga de Que está em conformidade com a norma RoHS.

 

Comodidades

Baixa resistência

Carga baixa da porta

Comutação rápida

Baixas capacidades de transferência inversa

teste de energia de avalanche de pulso único a 100%

100% ΔVDS teste

Aplicações

Aplicações de comutação de potência

Conversores CC-CC

Controlo de ponte total

 

PARÂMETRO		SÍMBOLO	CLASSIFICAÇÃO		UNIDADE
			DH100N06/DHI100N06/DHE100N06/DHB100N06/DHD100N06	DHF100N06
Tensão de transmissão para fonte		VDSS	68		V
Tensão porta-a-fonte		VGSS	± 20		V
Corrente de purga contínua		ID TC 25ºC	100		A
		100ºC	70		A
Corrente de purga pulsada		IDM	400		A
Energia de uma única pulsação para Avalanche		EAS	600		MJ
Dissipação de energia	25ºC	Ptot	2	2	W
	25ºC	Ptot	145	35	W
Tensão de isolamento		VISO	/	2500	V
Intervalo de temperatura de junção		TJ	-55~175		ºC
Intervalo de temperatura de armazenamento		Tstg	-55~175		ºC

Especificações do produto e modelos de embalagem
Modelo do produto	Tipo de pacote	Marca Nome	RoHS	Pacote	Quantidade
DH100N06	A -220C	DH100N06	Sem PB	Tubo	1000/caixa
DHF100N06	A -220F	DHF100N06	Sem PB	Tubo	1000/caixa
DHB100N06	A -251	DHB100N06	Sem PB	Tubo	3000/caixa
DHD100N06	A -252	DHD100N06	Sem PB	Fita e bobina	2500/caixa
DHI100N06	A -262	DHI100N06	Sem PB	Tubo	1000/caixa
DHE100N06	A -263	DHE100N06	Sem PB	Fita e bobina	800/caixa