Díodo de barreira SIC Schottky 1200V 5A Dcgt05D120g3 a -220-2L

• Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
• Material: silicone
• Tipo: Semicondutor Tipo N
• Pacote: a -220-2l
• Aplicação: fontes de alimentação do modo de comutação
• Modelo: dcgt05d120g3
• N ° de Modelo.: DCGT05D120G3
• Número de lote: 2023
• Marca: sem
• tensão: 1200 v.
• atual: 5a
• Pacote de Transporte: Reel
• Marca Registrada: WXDH
• Origem: Wuxi, China
• Código HS: 8541100000
• Capacidade de Produção: 500000000 Pieces/Year

Descrição de Produto

 8A 650 V SIC SCHOTTKYBARRIERDIODE
1 Descrição
A família de produtos da Série SIC oferece um desempenho topo de gama. Foi concebido para o alto
aplicações de frequência em que é necessária uma elevada eficiência e uma elevada fiabilidade.

 

Comodidades

alta tensão

Corrente de recuperação de inversão zero

Tensão de recuperação de marcha em frente zero

Coeficiente de temperatura positivo em VF

175ºC temperatura de operação da junção

Aplicações

Fontes de alimentação do modo de comutação

Correcção do factor de potência

Transmissão do motor, inversor PV, estação de energia eólica

 

PARÂMETRO			SÍMBOLO	VALOR	UNIDADE
Tensão de inversão repetitiva de pico			VRRM	1200	V
Tensão de inversão do pico de trabalho			VRWM	1200	V
Tensão de bloqueio DC			VR	1200	V
Corrente média retificada para a frente		PARA -220 (TC ≤ 135ºC)	SE (AV)	9.5	A
		PARA -220 (TC ≤ 161ºC)		5	A
Corrente de pico de avanço repetitivo (t: 8,3ms) t			IFSM	50	A
Dissipação de energia			Ptot	130	W
Intervalo de temperatura de junção de funcionamento			TJ	-55~175	ºC
Intervalo de temperatura de armazenamento			Tstg	-55~175	ºC

 

Especificações do produto e modelos de embalagem
Modelo do produto	Tipo de pacote	Marca Nome
DCGT05D120G3	A -220-2	DCGT05D120G3