Tecnologia de Fabricação: | Dispositivo Discreto |
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Material: | Metal-Oxide Semiconductor |
Tipo: | Semicondutor Tipo P |
Pacote: | to-263 |
Aplicação: | Power Switching,Converters, Full Bridge Control |
Modelo: | Dh020n03e |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
O PARÂMETRO | Símbolo | Valor | Unidade | ||
DH020N03P | |||||
Drian de tensão da fonte | VDSS | 30 | V | ||
Porta a tensão da fonte | VGSS | ±20 | V | ||
Corrente de dreno(contínuo) | Identificação(T = 25ºC) | 200 | Um | ||
(T=100ºC) | 140 | Um | |||
Corrente de dreno(A) | O IDM | 790 | Um | ||
Pulso único da energia Avalanche | O EAS | 900 | MJ | ||
Dissipação Total | Ta = 25ºC | Ptot | 2 | W | |
TC=25ºC | Ptot | 278 | W | ||
Temperatura da junção | Tj | -55~175 | ºC | ||
Temperatura de armazenamento | Tstg | -55~175 | ºC |
Dispõe de |
A comutação rápida |
Baixa Resistência |
Baixa carga de Bico Valvulado |
Baixo Retrocesso Capacitances de Transferência |
100% único pulso avalanche de Teste de Energia |
100% Teste ΔVDS |
Os pedidos |
Fonte de alternância de aplicativos |
Inversor do sistema de gestão |
Ferramentas eléctricas |
Eletrônicos Automotivos |
Especificações do produto e modelos de embalagens | |||||
O modelo do produto | Tipo de pacote | Nome de marca | Diretriz RoHS | Package | Quantidade |
DH020N03E
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A-263.º |
DH020N03E
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Pb-free | O molinete | 800/caixa |
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