Potência de super junção de 650 V N-Channel de 4,8A MOSFET Dhbsj5n65 a -251b

• Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
• Material: semicondutor de óxido de metal
• Tipo: Semicondutor Tipo N
• Pacote: para -251b
• Aplicação: aplicações de comutação de potência
• Modelo: dhbsj5n65
• N ° de Modelo.: DHBSJ5N65
• Número de lote: 2021
• Marca: sem
• tensão: 650 v
• atual: 4.8A
• Pacote de Transporte: Tube
• Marca Registrada: WXDH
• Origem: Wuxi, China
• Código HS: 8541290000
• Capacidade de Produção: 500000000 Pieces/Year

Descrição de Produto

PARÂMETRO		SÍMBOLO	VALOR		UNIDADE
Tensão de transmissão para fonte		VDSS	650		V
Tensão da porta para o Drian		VGSS	± 20		V
Corrente de purga (contínua)		ID (T 25ºC)	4.8		A
		(T 100ºC)	3.0		A
Corrente de drenagem (pulsada)		IDM	14.4		A
Energia de uma única pulsação para Avalanche		EAS	43		MJ
Dissipação total	25ºC	Ptot	2		W
	25ºC	Ptot	50		W
Temperatura de junção		TJ	-55~150		ºC
Temperatura de armazenamento		Tstg	-55~150		ºC

 

Comodidades

Comutação rápida

Baixa resistência

Carga da porta baixa

Condensadores de transferência de inversão baixos

Teste de energia de Avalanche de impulso único a 100%

100% ΔVDS Teste

Aplicações

Fontes de alimentação comutadas (SMPS).

Alimentação do televisor e alimentação da iluminação LED

Conversores CA para CC

Telecom

 

Especificações do produto e modelos de embalagem
Modelo do produto	Tipo de pacote	Marca Nome	RoHS	Pacote	Quantidade
DHBSJ5N65	PARA -251B	DHBSJ5N65	Sem PB	TEL	3000/caixa