MOSFET potência SIC N-Channel de 1200 V Dcev075m120g2c a -263-7

• Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
• Material: Sic
• Tipo: Semicondutor Tipo N
• Pacote: to-263-7
• Aplicação: Solar Inverters
• Modelo: Dcev075m120g2c
• N ° de Modelo.: Dcev075m120g2c
• Número de lote: 2022
• Marca: Wxdh
• tensão: 1200 v.
• atual: 40 a.
• Pacote de Transporte: Tube
• Marca Registrada: WXDH
• Origem: Wuxi, China
• Código HS: 8541100000
• Capacidade de Produção: 500000000 Pieces/Year

Descrição de Produto

MOSFET de potência SiC de 1200 V N-canal de 40 A.

 

Descrição

Esta  família de produtos oferece desempenho topo de gama. É

concebido para aplicações de alta frequência em que a temperatura é elevada

eficiência e alta confiabilidade são necessárias.

 

Comodidades

Maior eficiência do sistema

Requisitos de refrigeração reduzidos

Maior densidade de potência

Maior frequência de comutação do sistema

Aplicações

Fontes de alimentação

Conversores CC/CC de alta tensão

Transmissões do motor

Fontes de alimentação comutadas

Aplicações de potência pulsada

 

PARÂMETRO			SÍMBOLO	VALOR		UNIDADE
Tensão de transmissão para fonte			VDSS	1200		V
Tensão máx. Porta-a-fonte			VGSS	- 10 / 25		V
Tensão máx. Porta-a-fonte			VGSS	- 5 / 20		V
Corrente de purga contínua			VGS 25ºC 20V, TC	41		A
			VGS 100ºC 20V, TC	28		A
Corrente de purga pulsada			ID (IMPULSO)	80		A
Dissipação de energia		175ºC	PD	208		W
		25ºC	PD			W
Intervalo de temperatura de junção			TJ	-55~150		ºC
Intervalo de temperatura de armazenamento			Tstg	-55~150		ºC

 
4.2 características térmicas

Parâmetro	Símbolo	Típ	Unitº
Resistência térmica, junção ao dissipador de caixa	RthJC	0.72	ºC/W

Especificações do produto e modelos de embalagem
Modelo do produto	Tipo de pacote	Marca Nome	RoHS	Pacote	Quantidade
DCEV075M120G2C	A -263-7	DCEV075M120G2C	Sem PB	Tubo	800/caixa