MODO de melhoramento DE canal N DE 700 V 4A potência MOSFET D4870 a 252b

• Aplicação: circuito do interruptor de alimentação led, lastro electrónico
• Número do lote: 2022
• Tecnologia de Manufatura: Dispositivo discreto
• Material: semicondutor de óxido de metal
• Model: d4n70
• Pacote: para -252b
• N ° de Modelo.: D4N70
• Tipo: Semicondutor do Tipo N
• tensão: 700 v.
• atual: 4a
• marca: sem
• Pacote de Transporte: Tube
• Marca Registrada: WXDH
• Origem: Wuxi, China
• Código HS: 8541290000
• Capacidade de Produção: 500000000 Pieces/Year

Descrição de Produto

PARÂMETRO		SÍMBOLO	VALOR		UNIDADE
			N70/D470/BB4N70/I4N70/E4N70	FF4N70
Tensão DC de fonte máxima de transmissão		VDS	700		V
Porta máxima - Tensão de drenagem		VGS	± 30		V
Corrente de purga (contínua)		ID (T 25ºC)	4		A
		(T 100ºC)	2.5		A
Corrente de drenagem (pulsada)		IDM	16		A
Energia de uma única pulsação para Avalanche		EAS	190		MJ
Dissipação total	25ºC	Ptot	0.24	0.24	W
	25ºC	Ptot	30	30	W
Temperatura de junção		TJ	-55~150		ºC
Temperatura de armazenamento		Tstg	-55~150		ºC

 

Comodidades

Comutação rápida

Baixa resistência ( RSD ≤ 3.3Ω)

Carga da porta baixa (tipo: 12,7 oC)

Capacidades de transferência em marcha-atrás baixas (Tip: 2,7pF)

Teste de energia de Avalanche de impulso único a 100%

100% ΔVDS Teste

 

Aplicações

Utilizado em vários circuitos de comutação de potência para o sistema
miniaturização e maior eficiência.

Circuito do interruptor de alimentação do lastro de electrões e do adaptador.

 

Especificações do produto e modelos de embalagem
Modelo do produto	Tipo de pacote	Marca Nome	RoHS	Pacote	Quantidade
4N70	A -220C	4N70	Sem PB	Tubo	1000/caixa
FF4N70	A -220F	FF4N70	Sem PB	Tubo	1000/caixa
B4N70	A -251	B4N70	Sem PB	Tubo	3000/caixa
D4N70	A -252	D4N70	Sem PB	Fita e bobina	2500/caixa
I4N70	A -262	I4N70	Sem PB	Tubo	1000/caixa
E4N70	A -263	E4N70	Sem PB	Fita e bobina	800/caixa