MOSFET de potência SIC de 60 A1200V N-channel
1 Descrição
Esta família de produtos oferece desempenho topo de gama. É
concebido para aplicações de alta frequência em que a temperatura é elevada
eficiência e alta confiabilidade são necessárias. É qualificado
E fabricados na produtiva linha SiC de 6 polegadas
China totalmente possuído por Donghai Semiconducor.
| Comodidades |
| Tensão de bloqueio elevada com baixa resistência |
| Comutação de alta velocidade com baixa capacitância |
| Fácil de conduzir em paralelo e simples de conduzir |
| Aplicações |
| Fontes de alimentação |
| Conversores CC/CC de alta tensão |
| Transmissões do motor |
| Fontes de alimentação comutadas |
| Aplicações de potência pulsada |
| PARÂMETRO |
SÍMBOLO |
VALOR |
UNIDADE |
| |
|
|
| Tensão de transmissão para fonte |
VDSS |
1200 |
V |
| Tensão máx. Porta-a-fonte |
VGSS |
- 10 / 25 |
V |
| Tensão máx. Porta-a-fonte |
VGSS |
- 5 / 20 |
V |
| Corrente de purga contínua |
ID TC 25ºC |
60 |
A |
| 100ºC |
40 |
A |
| Corrente de purga pulsada |
ID (IMPULSO) |
160 |
A |
| Dissipação de energia |
150ºC |
Ptot |
330 |
W |
| 25ºC |
Ptot |
W |
| Intervalo de temperatura de junção |
TJ |
-55~150 |
ºC |
| Intervalo de temperatura de armazenamento |
Tstg |
-55~150 |
ºC |
4.2 características térmicas
| Parâmetro |
Símbolo |
Classificação |
Unitº |
| Resistência térmica, junção ao dissipador de caixa |
RthJC |
0.38 |
ºC/W |
| Resistência térmica, junção com a temperatura ambiente |
RthJA |
40 |
ºC/W |
| Especificações do produto e modelos de embalagem |
| Modelo do produto |
Tipo de pacote |
Marca Nome |
RoHS |
Pacote |
Quantidade |
| DHC1M040120D |
PARA -3P |
DHC1M040120D |
Sem PB |
Tubo |
300/caixa |
| DHC1M040120B |
A -247 |
DHC1M040120B |
Sem PB |
Tubo |
300/caixa |
Fornecedor Auditado 
