Manufacturing Technology: | Discrete Device |
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Material: | Silicon |
Type: | N-type Semiconductor |
Package: | to-247 |
Application: | Welding, UPS |
Model: | Dhg60n65D |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
PARÂMETRO | SÍMBOLO | CLASSIFICAÇÃO | UNIDADE | ||
Coletor - Tensão do emissor | VCES | 650 | V | ||
Porta - Tensão do emissor | VGES | ± 20 | V | ||
Corrente do coletor | C (T 25ºC) | 120 | A | ||
Corrente do coletor | (TC 100ºC) | 60 | A | ||
Corrente do coletor pulsado | ICM | 180 | A | ||
Díodo de corrente contínua de avanço | SE @ TC 100 ° C | 30 | A | ||
Corrente pulsada do díodo |
IFM
|
90 | A | ||
Dissipação total | 25ºC |
Ptot
|
406 | W | |
100ºC |
Ptot
|
163 | W | ||
Temperatura de junção | TJ | -45~175 | ºC | ||
Temperatura de armazenamento | Tstg | -45~150 | ºC |
Comodidades |
Tecnologia de tendências FS, temperatura positiva
coeficiente
|
Baixa tensão de saturação: VCE (SAT), típ de 1,85 V.
@ C: 60 a e TJ: 25 ° C
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Capacidade de avalanche extremamente melhorada
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Aplicações |
Soldadura |
Inversor de três níveis |
UPS |
Especificações do produto e modelos de embalagem | |||||
Modelo do produto | Tipo de pacote | Marca Nome | RoHS | Pacote | Quantidade |
DGC60N60D
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A -247 | DGC60N60D | Sem PB | Tubo | 1000/caixa |
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