• Transístor bipolar de porta isolada de 650 V com resistência de tendências de 60 a 65 V.
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Transístor bipolar de porta isolada de 650 V com resistência de tendências de 60 a 65 V.

Manufacturing Technology: Discrete Device
Material: Silicon
Type: N-type Semiconductor
Package: to-247
Application: Welding, UPS
Model: Dhg60n65D

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Fabricante/Fábrica & Empresa Comercial

Informação Básica.

N ° de Modelo.
DHG60N65D
Batch Number
2023
Brand
Wxdh
tensão
650 v
atual
60 a.
Pacote de Transporte
Tube
Marca Registrada
WXDH
Origem
Wuxi, China
Código HS
8541290000
Capacidade de Produção
500000000 Pieces/Year

Descrição de Produto

60A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dhg60n65D60A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dhg60n65D60A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dhg60n65D60A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dhg60n65D
PARÂMETRO SÍMBOLO CLASSIFICAÇÃO UNIDADE
 
Coletor - Tensão do emissor VCES 650 V
Porta - Tensão do emissor VGES ± 20 V
Corrente do coletor C (T 25ºC) 120 A
Corrente do coletor   (TC 100ºC) 60 A
Corrente do coletor pulsado ICM 180 A
Díodo de corrente contínua de avanço SE  @ TC 100 ° C 30 A
Corrente pulsada do díodo
IFM
90 A
Dissipação total 25ºC
Ptot
406 W
100ºC
Ptot
163 W
Temperatura de junção TJ -45~175 ºC
Temperatura de armazenamento Tstg -45~150 ºC
 
Comodidades
Tecnologia de tendências FS, temperatura positiva
coeficiente
Baixa tensão de saturação: VCE (SAT), típ de 1,85 V.
@ C: 60 a e TJ: 25 ° C
Capacidade de avalanche extremamente melhorada
Aplicações
Soldadura
Inversor de três níveis
UPS
 
Especificações do produto e modelos de embalagem
Modelo do produto Tipo de pacote Marca Nome RoHS Pacote Quantidade
DGC60N60D
A -247 DGC60N60D Sem PB Tubo 1000/caixa
 60A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dhg60n65D

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Número de Empregados
156
Ano de Fundação
2004-12-07