MOSFET de potência SIC N-Channel 650V 30mΩ Dcf030m65g2 a -247-4L

• Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
• Material: Sic
• Tipo: Semicondutor Tipo N
• Pacote: to-247-4L
• Aplicação: Solar Inverters
• Modelo: Dccf030m65g2
• N ° de Modelo.: DCCF030M65G2
• Número de lote: 2022
• Marca: Wxdh
• tensão: 650 v
• Pacote de Transporte: Tube
• Marca Registrada: WXDH
• Origem: Wuxi, China
• Código HS: 8541100000
• Capacidade de Produção: 500000000 Pieces/Year

Descrição de Produto

MOSFET de potência SiC N-channel de 650 V da 20mΩ

 

Descrição

Esta  família de produtos oferece desempenho topo de gama. É

concebido para aplicações de alta frequência em que a temperatura é elevada

eficiência e alta confiabilidade são necessárias.

 

Comodidades

Maior eficiência do sistema

Requisitos de refrigeração reduzidos

Maior densidade de potência

Maior frequência de comutação do sistema

Aplicações

Fontes de alimentação

Conversores CC/CC de alta tensão

Transmissões do motor

Fontes de alimentação comutadas

Aplicações de potência pulsada

 

PARÂMETRO			SÍMBOLO	VALOR		UNIDADE
Tensão de transmissão para fonte			VDSS	650		V
Tensão máx. Porta-a-fonte			VGSS	- 8 / 22		V
Tensão máx. Porta-a-fonte			VGSS	- 4 / 18		V
Corrente de purga contínua			VGS 25ºC 20V, TC	92		A
			VGS 100ºC 20V, TC	64		A
Corrente de purga pulsada			ID (IMPULSO)	257		A
Dissipação de energia		175ºC	PD	312		W
		25ºC	PD			W
Intervalo de temperatura de junção			TJ	-55~150		ºC
Intervalo de temperatura de armazenamento			Tstg	-55~150		ºC

 
4.2 características térmicas

Parâmetro	Símbolo	Classificação	Unitº
Resistência térmica, junção ao dissipador de caixa	RthJC	0.48	ºC/W

Especificações do produto e modelos de embalagem
Modelo do produto	Tipo de pacote	Marca Nome	RoHS	Pacote	Quantidade
DCCF030M65G2	PARA -247-4L	DCCF030M65G2	Sem PB	Tubo	300/caixa