Tecnologia de Fabricação: | Dispositivo Discreto |
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Material: | Metal-Oxide Semiconductor |
Tipo: | Semicondutor Tipo N |
Pacote: | to-252b |
Aplicação: | Power Switching,Inverter,Electric Tools |
Modelo: | Dhdsj8n70 |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
Dispõe de |
A comutação rápida |
Pouca resistência(Rdson≤0.6Ω) |
Baixa carga de gaveta(Typ: 16nC) |
Baixa transferência inversa capacitances(Typ: 3.1pF) |
100% único pulso avalanche de Teste de Energia |
100% Teste ΔVDS |
Os pedidos |
Power Factor Correction (PFC). |
Modo de comutação de fontes de alimentação(SMPS). |
Fonte de alimentação ininterrupta (UPS). |
AC de conversores DC |
Telecom |
O PARÂMETRO | Símbolo | RATING | Unidade | |||
DHSJ8N70/DHISJ8N70/DHESJ8N70/DHBSJ8N70/DHDSJ8N70 | DHFSJ8N70 | |||||
Drian de tensão da fonte | VDSS | 700 | V | |||
Porta a tensão da fonte | VGSS | ±20 | V | |||
Drenagem contínua actual | A TC de ID=25ºC | 8 | Um | |||
TC=100ºC | 4.9 | Um | ||||
Impulso de corrente de dreno | O IDM | 24 | Um | |||
Pulso único da energia Avalanche | O EAS | 79 | MJ | |||
Dissipação de energia | Ta = 25ºC | Ptot | 2 | 2 | W | |
TC=25ºC | Ptot | 70 | 28 | W | ||
Tensão de isolamento | VISO | / | 2000 | V | ||
Temperatura da junção de alcance | Tj | -55~150 | ºC | |||
Temperatura de armazenamento de gama | Tstg | -55~150 | ºC |
Especificações do produto e modelos de embalagens | |||||
O modelo do produto | Tipo de pacote | Nome de marca | Diretriz RoHS | Package | Quantidade |
DHSJ8N70 | A-220C | DHSJ8N70 | Pb-free | O tubo | 1000/caixa |
DHFSJ8N70 | A-220F | DHFSJ8N70 | Pb-free | O tubo | 1000/caixa |
DHBSJ8N70 | A-251 | DHBSJ8N70 | Pb-free | O tubo | 3000/caixa |
DHDSJ8N70 | A-252 | DHDSJ8N70 | Pb-free | Fita e o molinete | 2500/caixa |
DHISJ8N70 | A-262 | DHISJ8N70 | Pb-free | O tubo | 1000/caixa |
DHESJ8N70 | A-263.º | DHESJ8N70 | Pb-free | Fita e o molinete | 800/caixa |
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