Tecnologia de Fabricação: | Dispositivo Discreto |
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Material: | Metal-Oxide Semiconductor |
Tipo: | Semicondutor Tipo P |
Pacote: | Dfn5*6-8 |
Aplicação: | Power Switching,Converters, Full Bridge Control |
Modelo: | Dh030n03p |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
PARÂMETRO | SÍMBOLO | VALOR | UNIDADE | ||
DH030N03P | |||||
Tensão de transmissão para fonte | VDSS | 30 | V | ||
Tensão porta-a-fonte | VGSS | ± 20 | V | ||
Corrente de purga (contínua) | ID (T 25ºC) | 96 | A | ||
(T 100ºC) | 67 | A | |||
Corrente de drenagem (pulsada) | IDM | 380 | A | ||
Energia de uma única pulsação para Avalanche | EAS | 215 | MJ | ||
Dissipação total | 25ºC | Ptot | -- | W | |
25ºC | Ptot | 96 | W | ||
Temperatura de junção | TJ | -55~175 | ºC | ||
Temperatura de armazenamento | Tstg | -55~175 | ºC |
Comodidades |
Comutação rápida |
Baixa resistência |
Carga da porta baixa |
Condensadores de transferência de inversão baixos |
Teste de energia de Avalanche de impulso único a 100% |
100% ΔVDS Teste |
Aplicações |
Aplicações de comutação de potência |
Sistema de gestão do inversor |
Ferramentas eléctricas |
Electrónica automóvel |
Especificações do produto e modelos de embalagem | |||||
Modelo do produto | Tipo de pacote | Marca Nome | RoHS | Pacote | Quantidade |
DH030N03P | P PAK5 * 6-8 | DH030N03P | Sem PB | Fita e bobina | 2500/caixa |
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