0612 Series 10uh SMT/SMD pós de ligas tipo moldado Corrente Elevada potência blindado indutores

• Type: Indutor Choque
• Structure: Bobina Indutiva
• Working Frequency: Frequência Alta
• Structure of Winding: Single Coil
• Nature of Operation: Bobina
• Structure of Magnetizer: Ferrite bobina
• N ° de Modelo.: IKP-MPC-0612-100M
• Range of Application: Estrangulamento
• Packaging Form: Chip Indutância
• Brand: Ikp
• Inductor Value: Indutor Variável
• Pacote de Transporte: Reel+Carton+Tray
• Especificação: 7.4*6.6*1.2
• Marca Registrada: IKP
• Origem: China
• Código HS: 8504500000
• Capacidade de Produção: 50000pieces/Day

Descrição de Produto

Recursos:
• Protecção Magnética estrutura, excelente desempenho EMI.
• Suportar a corrente alta e temperatura
• Alto desempenho em liga de metal em pó
• Atender qualidade internacional
• Alta precisão e confiabilidade forte
• Acabamento requintado e alta capacidade de produção
• Compatível com RoHS e livres de halogênio
• Inventário adequado, a entrega atempada e custo elevado desempenho.

Dimensões exteriores: (Unidade: Mm)
 

Um	7.4 MAX
B	6.6±0.20
C	1.2 MAX
D	1, 6±0, 3
E	3, 0±0, 2

Características eléctricas:

Referência	L0 A indutância (UH±20%)	A classificação de calor Actuais Irms(A)	Saturação de oxigênio Actuais Isat(A)	DCR (mΩ)
				TYP.	MAX.
MPC-0612-R56M	0, 56	6.0	11.0	13.5	16.0
MPC-0612-R68M	0.68	5.5	10.0	14.7	17.0
MPC-0612-R82M	0, 82	5.0	9.0	19.1	22.0
MPC-0612-1R0M	1.0	6.0	7.0	22.3	26.0
MPC-0612-2R2M	2.2	3.5	5.0	64.0	67.0
MPC-0612-3R3M	3.3	3.0	4.0	80, 0	92, 0
MPC-0612-4R7M	4.7	2.0	3.5	120, 0	130, 0
MPC-0612-100M	10	1.5	2.5	250, 0	290.0

**Nota 1: Todos os dados de teste é referenciado para 25 °C de temperatura ambiente
**Nota 2: IDC: Corrente DC (A) que irá causar um valor aproximado ΔT de 40°C
**Nota 3: Isat: Corrente DC (A) que irá causar L0 queda de aproximadamente 30%
**Recordar especiais: O design do circuito, colocação de componentes, PWB tamanho e espessura, sistema de refrigeração etc todos os afetará a temperatura do produto. Verifique a temperatura do produto na aplicação final.