Elétrico & Eletrônico Semicondutor Semicondutor Intrínseco módulo de diodo retificador 2026 Lista de produtos

módulo de diodo retificador

produtos encontrados de fabricantes e atacadistas confiáveis

Preço de Retificadores de Ponte D25ja05A até D25ja100A Compatível com RoHS, Livre de Halogênio

Preço de Retificadores de Ponte D25ja05A até D25ja100A Compatível com RoHS, Livre de Halogênio

Preço de Retificadores de Ponte D25ja05A até D25ja100A Compatível com RoHS, Livre de Halogênio

Preço de Retificadores de Ponte D25ja05A até D25ja100A Compatível com RoHS, Livre de Halogênio

Preço de Retificadores de Ponte D25ja05A até D25ja100A Compatível com RoHS, Livre de Halogênio

Preço de Retificadores de Ponte D25ja05A até D25ja100A Compatível com RoHS, Livre de Halogênio

1/ 6

Favoritos

Preço de Retificadores de Ponte D25ja05A até D25ja100A Compatível com RoHS, Livre de Halogênio

US$ 0,28

100 Peças (MOQ)

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

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Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC

Método de refrigeração: Tubo refrigerado naturalmente

Freqüência de trabalho: Alta frequência

Estrutura: planar

Estrutura encapsulamento: Transistor selada de vidro

Nível de poder: Alto poder

Retificadores de Ponte de Alta Eficiência Hdl1s até Hdl10s Pacote: Mbls Tensão Reversa 100V~1000V

Retificadores de Ponte de Alta Eficiência Hdl1s até Hdl10s Pacote: Mbls Tensão Reversa 100V~1000V

Retificadores de Ponte de Alta Eficiência Hdl1s até Hdl10s Pacote: Mbls Tensão Reversa 100V~1000V

Retificadores de Ponte de Alta Eficiência Hdl1s até Hdl10s Pacote: Mbls Tensão Reversa 100V~1000V

Retificadores de Ponte de Alta Eficiência Hdl1s até Hdl10s Pacote: Mbls Tensão Reversa 100V~1000V

Retificadores de Ponte de Alta Eficiência Hdl1s até Hdl10s Pacote: Mbls Tensão Reversa 100V~1000V

1/ 6

Favoritos

Retificadores de Ponte de Alta Eficiência Hdl1s até Hdl10s Pacote: Mbls Tensão Reversa 100V~1000V

US$ 0,014

4 000 Peças (MOQ)

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

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Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC

Método de refrigeração: Tubo refrigerado naturalmente

Freqüência de trabalho: Alta frequência

Estrutura: planar

Estrutura encapsulamento: Transistor selada de vidro

Nível de poder: Alto poder

Fornecedor da China Zhendi Fabricante de Tiristor Controlado por Silício

Fornecedor da China Zhendi Fabricante de Tiristor Controlado por Silício

Fornecedor da China Zhendi Fabricante de Tiristor Controlado por Silício

Fornecedor da China Zhendi Fabricante de Tiristor Controlado por Silício

Fornecedor da China Zhendi Fabricante de Tiristor Controlado por Silício

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1/ 6

Favoritos

Fornecedor da China Zhendi Fabricante de Tiristor Controlado por Silício

US$ 8,00-15,00

1 Peça (MOQ)

Zhenjiang Zhendi Electric Technology Co., Ltd

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Aplicação: Componentes Eletrônicos de Potência,Medição de Temperatura

Certificação: CE

Tecnologia de Manufatura: Dispositivo discreto

Material: Semicondutor composto

Embalagem: caixa de cartão

Padrão: 490 * 330 * 200 tamanho da embalagem

1/ 4

Favoritos

800V/13A 380mΩ HCS80R380S Mosfet de Potência Avançado N-Channel

US$ 0,60-0,66

1 000 Peças (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC

Forma: GT

Tipo de blindagem: Blindagem Tubo Remote-Off Corte

Método de refrigeração: Tubo refrigerado naturalmente

Função: Transistor de alta pressão Voltar,Transistor microondas,Mudar Transistor

Freqüência de trabalho: Alta frequência

Equipamento de Fabricação de Dispositivos Semicondutores Direto da Fábrica MFC100A Módulo de Potência IGBT Tiristor SCR

Equipamento de Fabricação de Dispositivos Semicondutores Direto da Fábrica MFC100A Módulo de Potência IGBT Tiristor SCR

Equipamento de Fabricação de Dispositivos Semicondutores Direto da Fábrica MFC100A Módulo de Potência IGBT Tiristor SCR

Equipamento de Fabricação de Dispositivos Semicondutores Direto da Fábrica MFC100A Módulo de Potência IGBT Tiristor SCR

Equipamento de Fabricação de Dispositivos Semicondutores Direto da Fábrica MFC100A Módulo de Potência IGBT Tiristor SCR

Equipamento de Fabricação de Dispositivos Semicondutores Direto da Fábrica MFC100A Módulo de Potência IGBT Tiristor SCR

1/ 6

Favoritos

Equipamento de Fabricação de Dispositivos Semicondutores Direto da Fábrica MFC100A Módulo de Potência IGBT Tiristor SCR

US$ 11,00-18,00

1 Peça (MOQ)

Zhenjiang Zhendi Electric Technology Co., Ltd

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Aplicação: Componentes Eletrônicos de Potência,Medição de Temperatura

Número do lote: 2023+

Certificação: CE

Processamento de Sinal: Digital

Embalagem: plástico

Padrão: 400*300*200

Módulo de Potência IGBT 10&mu;s capacidade de curto-circuito 1200V/100A 2 em um pacote Recursos SEMICONDUTOR Aplicações GD100HFY120C1S

Módulo de Potência IGBT 10&mu;s capacidade de curto-circuito 1200V/100A 2 em um pacote Recursos SEMICONDUTOR Aplicações GD100HFY120C1S

Módulo de Potência IGBT 10&mu;s capacidade de curto-circuito 1200V/100A 2 em um pacote Recursos SEMICONDUTOR Aplicações GD100HFY120C1S

Módulo de Potência IGBT 10&mu;s capacidade de curto-circuito 1200V/100A 2 em um pacote Recursos SEMICONDUTOR Aplicações GD100HFY120C1S

Módulo de Potência IGBT 10&mu;s capacidade de curto-circuito 1200V/100A 2 em um pacote Recursos SEMICONDUTOR Aplicações GD100HFY120C1S

Módulo de Potência IGBT 10&mu;s capacidade de curto-circuito 1200V/100A 2 em um pacote Recursos SEMICONDUTOR Aplicações GD100HFY120C1S

1/ 6

Favoritos

Módulo de Potência IGBT 10μs capacidade de curto-circuito 1200V/100A 2 em um pacote Recursos SEMICONDUTOR Aplicações GD100HFY120C1S

US$ 135,00

1 Peça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Certificação: RoHS

Nível de poder: Pequeno Poder

Material: Silício

Embalagem: embalagem de plástico

Padrão: personalizado

Marca Registrada: feliz

1/ 4

Favoritos

100V/100A 3.9mΩ DG100N02Q Transistor Profissional Atacado Mosfet de Potência Avançada

US$ 0,20-0,23

3 000 Peças (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC

Forma: GT

Tipo de blindagem: Blindagem Tubo Remote-Off Corte

Método de refrigeração: Tubo refrigerado naturalmente

Função: Transistor de alta pressão Voltar,Transistor microondas,Mudar Transistor

Freqüência de trabalho: Alta frequência

Thyristor Powerpassion SCR com resfriamento de dupla face e design IGBT Gto 2500V alta tensão alta corrente Kp cerâmico thyristor controle de fase SCR thyristor

Thyristor Powerpassion SCR com resfriamento de dupla face e design IGBT Gto 2500V alta tensão alta corrente Kp cerâmico thyristor controle de fase SCR thyristor

Thyristor Powerpassion SCR com resfriamento de dupla face e design IGBT Gto 2500V alta tensão alta corrente Kp cerâmico thyristor controle de fase SCR thyristor

Thyristor Powerpassion SCR com resfriamento de dupla face e design IGBT Gto 2500V alta tensão alta corrente Kp cerâmico thyristor controle de fase SCR thyristor

Thyristor Powerpassion SCR com resfriamento de dupla face e design IGBT Gto 2500V alta tensão alta corrente Kp cerâmico thyristor controle de fase SCR thyristor

Thyristor Powerpassion SCR com resfriamento de dupla face e design IGBT Gto 2500V alta tensão alta corrente Kp cerâmico thyristor controle de fase SCR thyristor

1/ 6

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Thyristor Powerpassion SCR com resfriamento de dupla face e design IGBT Gto 2500V alta tensão alta corrente Kp cerâmico thyristor controle de fase SCR thyristor

US$ 8,00-15,00

1 Peça (MOQ)

Zhenjiang Zhendi Electric Technology Co., Ltd

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Aplicação: Componentes Eletrônicos de Potência,Medição de Temperatura

Certificação: CE

Tecnologia de Manufatura: Dispositivo discreto

Material: Semicondutor composto

Embalagem: caixa de cartão

Padrão: 490 * 330 * 200 tamanho da embalagem

Módulos de Diodo Tiristor VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V para 1900V IFAV/ITAV=110A características aplicações MT110CB08T1

Módulos de Diodo Tiristor VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V para 1900V IFAV/ITAV=110A características aplicações MT110CB08T1

Módulos de Diodo Tiristor VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V para 1900V IFAV/ITAV=110A características aplicações MT110CB08T1

Módulos de Diodo Tiristor VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V para 1900V IFAV/ITAV=110A características aplicações MT110CB08T1

Módulos de Diodo Tiristor VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V para 1900V IFAV/ITAV=110A características aplicações MT110CB08T1

Módulos de Diodo Tiristor VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V para 1900V IFAV/ITAV=110A características aplicações MT110CB08T1

1/ 6

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Módulos de Diodo Tiristor VRRM/VDRM=800 to1800V VRSM=900V para 1900V IFAV/ITAV=110A características aplicações MT110CB08T1

US$ 18,70

10 Peças (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Certificação: RoHS

Função: Mudar Transistor

Material: Silício

Embalagem: embalagem de plástico

Padrão: personalizado

Marca Registrada: sr.

Módulo de Potência Monofásico Mdq200A Retificador Internacional Bridge 200A

Módulo de Potência Monofásico Mdq200A Retificador Internacional Bridge 200A

Módulo de Potência Monofásico Mdq200A Retificador Internacional Bridge 200A

Módulo de Potência Monofásico Mdq200A Retificador Internacional Bridge 200A

Módulo de Potência Monofásico Mdq200A Retificador Internacional Bridge 200A

Módulo de Potência Monofásico Mdq200A Retificador Internacional Bridge 200A

1/ 6

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válido desde 2022-10-25

(contate o emissor para saber o status atual)

Módulo de Potência Monofásico Mdq200A Retificador Internacional Bridge 200A

US$ 13,93-18,57

1 Peça (MOQ)

Zhejiang Lingshine Electric CO., Ltd

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Método de Resfriamento: Resfriamento do ventilador,Resfriamento do dissipador de calor,Resfriamento natural

Frequência de saída: 50Hz,60Hz

Tensão de saída: 24V

Embalagem: caixa de cartão/palete

Padrão: MDQ200A1600V

Marca Registrada: aigoodele

50A, 200V, Diodo de Pressão de Motor Bp502

50A, 200V, Diodo de Pressão de Motor Bp502

50A, 200V, Diodo de Pressão de Motor Bp502

50A, 200V, Diodo de Pressão de Motor Bp502

50A, 200V, Diodo de Pressão de Motor Bp502

50A, 200V, Diodo de Pressão de Motor Bp502

1/ 6

Favoritos

50A, 200V, Diodo de Pressão de Motor Bp502

US$ 1,00

1 000 Peças (MOQ)

Changzhou Shunye Electronics Co., Ltd.

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Aplicação: Frigorífico

Certificação: RoHS

Tecnologia de Manufatura: Semicondutor optoeletrônico

Material: Semicondutor composto

Processamento de Sinal: Digital

Tipo: Semicondutor Intrínseco

Módulos de Diodo Tiristor VRRM/VDRM=800 to1600V MT25CB08T1

Módulos de Diodo Tiristor VRRM/VDRM=800 to1600V MT25CB08T1

Módulos de Diodo Tiristor VRRM/VDRM=800 to1600V MT25CB08T1

Módulos de Diodo Tiristor VRRM/VDRM=800 to1600V MT25CB08T1

Módulos de Diodo Tiristor VRRM/VDRM=800 to1600V MT25CB08T1

Módulos de Diodo Tiristor VRRM/VDRM=800 to1600V MT25CB08T1

1/ 6

Favoritos

Módulos de Diodo Tiristor VRRM/VDRM=800 to1600V MT25CB08T1

US$ 9,58

10 Peças (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Certificação: RoHS

Forma: GT

Método de refrigeração: Tubo refrigerado naturalmente

Função: Mudar Transistor

Freqüência de trabalho: Alta frequência

Estrutura: Difusão

Módulo / interruptor de botão / 250VAC / 20A / para montagem em trilho DIN / A9E18032

Módulo / interruptor de botão / 250VAC / 20A / para montagem em trilho DIN / A9E18032

Módulo / interruptor de botão / 250VAC / 20A / para montagem em trilho DIN / A9E18032

Módulo / interruptor de botão / 250VAC / 20A / para montagem em trilho DIN / A9E18032

Módulo / interruptor de botão / 250VAC / 20A / para montagem em trilho DIN / A9E18032

Módulo / interruptor de botão / 250VAC / 20A / para montagem em trilho DIN / A9E18032

1/ 6

Favoritos

Módulo / interruptor de botão / 250VAC / 20A / para montagem em trilho DIN / A9E18032

US$ 17,70

1 Peça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Certificação: RoHS

Função: Mudar Transistor

Estrutura encapsulamento: Ouro Transistor Sealed

Material: Silício

Embalagem: embalagem de plástico

Padrão: personalizado

1200V Módulo de Potência SiC, Pacote de Diodo Duplo, IF: 2x30A, características, aplicações, SOT-227, MB60DU12FJ

1200V Módulo de Potência SiC, Pacote de Diodo Duplo, IF: 2x30A, características, aplicações, SOT-227, MB60DU12FJ

1200V Módulo de Potência SiC, Pacote de Diodo Duplo, IF: 2x30A, características, aplicações, SOT-227, MB60DU12FJ

1200V Módulo de Potência SiC, Pacote de Diodo Duplo, IF: 2x30A, características, aplicações, SOT-227, MB60DU12FJ

1200V Módulo de Potência SiC, Pacote de Diodo Duplo, IF: 2x30A, características, aplicações, SOT-227, MB60DU12FJ

1200V Módulo de Potência SiC, Pacote de Diodo Duplo, IF: 2x30A, características, aplicações, SOT-227, MB60DU12FJ

1/ 6

Favoritos

1200V Módulo de Potência SiC, Pacote de Diodo Duplo, IF: 2x30A, características, aplicações, SOT-227, MB60DU12FJ

US$ 3,18

1 000 Peças (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Certificação: RoHS

Função: Mudar Transistor

Material: Silício

Embalagem: embalagem de plástico

Padrão: personalizado

Marca Registrada: sr.

Controlador de Tiristor Mds100A 3 Retificador de Ponte de Fase 100A

Controlador de Tiristor Mds100A 3 Retificador de Ponte de Fase 100A

Controlador de Tiristor Mds100A 3 Retificador de Ponte de Fase 100A

Controlador de Tiristor Mds100A 3 Retificador de Ponte de Fase 100A

Controlador de Tiristor Mds100A 3 Retificador de Ponte de Fase 100A

Controlador de Tiristor Mds100A 3 Retificador de Ponte de Fase 100A

1/ 6

Favoritos

válido desde 2022-10-25

(contate o emissor para saber o status atual)

Controlador de Tiristor Mds100A 3 Retificador de Ponte de Fase 100A

US$ 4,93-6,57

1 Peça (MOQ)

Zhejiang Lingshine Electric CO., Ltd

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Método de Resfriamento: Resfriamento do ventilador,Resfriamento do dissipador de calor,Resfriamento natural

Frequência de saída: 50Hz,60Hz

Tensão de saída: 24V

Embalagem: caixa de cartão/palete

Padrão: 80 * 40 * 34 mm

Marca Registrada: aigoodele

1200V/400A/4.2mΩ/18V Módulo Mosfet SiC, DWC3, ASC400N1200MD3F

1200V/400A/4.2mΩ/18V Módulo Mosfet SiC, DWC3, ASC400N1200MD3F

1200V/400A/4.2mΩ/18V Módulo Mosfet SiC, DWC3, ASC400N1200MD3F

1200V/400A/4.2mΩ/18V Módulo Mosfet SiC, DWC3, ASC400N1200MD3F

1200V/400A/4.2mΩ/18V Módulo Mosfet SiC, DWC3, ASC400N1200MD3F

1200V/400A/4.2mΩ/18V Módulo Mosfet SiC, DWC3, ASC400N1200MD3F

1/ 6

Favoritos

1200V/400A/4.2mΩ/18V Módulo Mosfet SiC, DWC3, ASC400N1200MD3F

US$ 0,86

1 000 Peças (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Certificação: RoHS

Função: Mudar Transistor

Material: Silício

Embalagem: embalagem de plástico

Padrão: personalizado

Marca Registrada: sr.

1200V/600A/2.8mΩ/18V Módulo Mosfet de SiC, HPD, ASC600N1200HPD

1200V/600A/2.8mΩ/18V Módulo Mosfet de SiC, HPD, ASC600N1200HPD

1200V/600A/2.8mΩ/18V Módulo Mosfet de SiC, HPD, ASC600N1200HPD

1200V/600A/2.8mΩ/18V Módulo Mosfet de SiC, HPD, ASC600N1200HPD

1200V/600A/2.8mΩ/18V Módulo Mosfet de SiC, HPD, ASC600N1200HPD

1200V/600A/2.8mΩ/18V Módulo Mosfet de SiC, HPD, ASC600N1200HPD

1/ 6

Favoritos

1200V/600A/2.8mΩ/18V Módulo Mosfet de SiC, HPD, ASC600N1200HPD

US$ 0,73

1 000 Peças (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Certificação: RoHS

Função: Mudar Transistor

Material: Silício

Embalagem: embalagem de plástico

Padrão: personalizado

Marca Registrada: sr.

1200V/800A/2.2mΩ/18V Módulo Mosfet de SiC, HPD, ASC800N1200HPD

1200V/800A/2.2mΩ/18V Módulo Mosfet de SiC, HPD, ASC800N1200HPD

1200V/800A/2.2mΩ/18V Módulo Mosfet de SiC, HPD, ASC800N1200HPD

1200V/800A/2.2mΩ/18V Módulo Mosfet de SiC, HPD, ASC800N1200HPD

1200V/800A/2.2mΩ/18V Módulo Mosfet de SiC, HPD, ASC800N1200HPD

1200V/800A/2.2mΩ/18V Módulo Mosfet de SiC, HPD, ASC800N1200HPD

1/ 6

Favoritos

1200V/800A/2.2mΩ/18V Módulo Mosfet de SiC, HPD, ASC800N1200HPD

US$ 0,81

1 000 Peças (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Certificação: RoHS

Função: Mudar Transistor

Material: Silício

Embalagem: embalagem de plástico

Padrão: personalizado

Marca Registrada: sr.

Módulos IGBT Baixa indutância Alto curto-circuito capability(10us) IC 150A VCES 1200V Recursos Aplicações MG150HF12TLC1

Módulos IGBT Baixa indutância Alto curto-circuito capability(10us) IC 150A VCES 1200V Recursos Aplicações MG150HF12TLC1

Módulos IGBT Baixa indutância Alto curto-circuito capability(10us) IC 150A VCES 1200V Recursos Aplicações MG150HF12TLC1

Módulos IGBT Baixa indutância Alto curto-circuito capability(10us) IC 150A VCES 1200V Recursos Aplicações MG150HF12TLC1

Módulos IGBT Baixa indutância Alto curto-circuito capability(10us) IC 150A VCES 1200V Recursos Aplicações MG150HF12TLC1

Módulos IGBT Baixa indutância Alto curto-circuito capability(10us) IC 150A VCES 1200V Recursos Aplicações MG150HF12TLC1

1/ 6

Favoritos

Módulos IGBT Baixa indutância Alto curto-circuito capability(10us) IC 150A VCES 1200V Recursos Aplicações MG150HF12TLC1

US$ 0,11-1,35

1 Peça (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Certificação: RoHS

Nível de poder: Alto poder

Material: Silício

Embalagem: embalagem de plástico

Padrão: personalizado

Marca Registrada: feliz

Preço de Atacado Sot-323 Diodo de Comutação Encapsulado em Plástico Bas19W/Bas20W/Bas21W

Preço de Atacado Sot-323 Diodo de Comutação Encapsulado em Plástico Bas19W/Bas20W/Bas21W

Preço de Atacado Sot-323 Diodo de Comutação Encapsulado em Plástico Bas19W/Bas20W/Bas21W

Preço de Atacado Sot-323 Diodo de Comutação Encapsulado em Plástico Bas19W/Bas20W/Bas21W

Preço de Atacado Sot-323 Diodo de Comutação Encapsulado em Plástico Bas19W/Bas20W/Bas21W

Preço de Atacado Sot-323 Diodo de Comutação Encapsulado em Plástico Bas19W/Bas20W/Bas21W

1/ 6

Favoritos

Preço de Atacado Sot-323 Diodo de Comutação Encapsulado em Plástico Bas19W/Bas20W/Bas21W

US$ 0,015

3 000 Peças (MOQ)

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

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Tipo: Diodo de comutação de alta velocidade

Certificação: RoHS,ISO,CE

Embalagem: embalagem de plástico

Padrão: 200 m

Marca Registrada: merryelc

Origem: Guangdong, China

Módulos FRED VRRM=1200V IFAV=2X100A Características de Recuperação Reversa Suave, aplicações MF200DU12FJ

Módulos FRED VRRM=1200V IFAV=2X100A Características de Recuperação Reversa Suave, aplicações MF200DU12FJ

Módulos FRED VRRM=1200V IFAV=2X100A Características de Recuperação Reversa Suave, aplicações MF200DU12FJ

Módulos FRED VRRM=1200V IFAV=2X100A Características de Recuperação Reversa Suave, aplicações MF200DU12FJ

Módulos FRED VRRM=1200V IFAV=2X100A Características de Recuperação Reversa Suave, aplicações MF200DU12FJ

Módulos FRED VRRM=1200V IFAV=2X100A Características de Recuperação Reversa Suave, aplicações MF200DU12FJ

1/ 6

Favoritos

Módulos FRED VRRM=1200V IFAV=2X100A Características de Recuperação Reversa Suave, aplicações MF200DU12FJ

US$ 16,15

20 Peças (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Certificação: RoHS

Função: Mudar Transistor

Material: Silício

Embalagem: embalagem de plástico

Padrão: personalizado

Marca Registrada: sr.

Série Kbpc 25A Retificador de Ponte Monofásico

Série Kbpc 25A Retificador de Ponte Monofásico

Série Kbpc 25A Retificador de Ponte Monofásico

Série Kbpc 25A Retificador de Ponte Monofásico

Série Kbpc 25A Retificador de Ponte Monofásico

Série Kbpc 25A Retificador de Ponte Monofásico

1/ 6

Favoritos

Série Kbpc 25A Retificador de Ponte Monofásico

US$ 1,00-20,00

1 Peça (MOQ)

Yueqing Zhicheng Electrical Equipment Co., Ltd.

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Embalagem: embalagem padrão

Marca Registrada: zhc

Origem: China

Capacidade de Produção: 500 unidades/mês

Dgw30n65cth 650V 30A Tubo IGBT Original e Novo Transistor to-247 Pacote

Dgw30n65cth 650V 30A Tubo IGBT Original e Novo Transistor to-247 Pacote

Dgw30n65cth 650V 30A Tubo IGBT Original e Novo Transistor to-247 Pacote

Dgw30n65cth 650V 30A Tubo IGBT Original e Novo Transistor to-247 Pacote

Dgw30n65cth 650V 30A Tubo IGBT Original e Novo Transistor to-247 Pacote

Dgw30n65cth 650V 30A Tubo IGBT Original e Novo Transistor to-247 Pacote

1/ 6

Favoritos

Dgw30n65cth 650V 30A Tubo IGBT Original e Novo Transistor to-247 Pacote

US$ 1,32

1 000 Peças (MOQ)

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

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Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC

Método de refrigeração: Tubo refrigerado naturalmente

Freqüência de trabalho: Alta frequência

Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico

Nível de poder: Alto poder

Material: Silício

1200V Módulo de Potência MOSFET de SiC, VDS: 1200V, ID: 53A, RDS(on) 42mΩ, características, aplicações, SOT-227, MC40UZ12ST

1200V Módulo de Potência MOSFET de SiC, VDS: 1200V, ID: 53A, RDS(on) 42mΩ, características, aplicações, SOT-227, MC40UZ12ST

1200V Módulo de Potência MOSFET de SiC, VDS: 1200V, ID: 53A, RDS(on) 42mΩ, características, aplicações, SOT-227, MC40UZ12ST

1200V Módulo de Potência MOSFET de SiC, VDS: 1200V, ID: 53A, RDS(on) 42mΩ, características, aplicações, SOT-227, MC40UZ12ST

1200V Módulo de Potência MOSFET de SiC, VDS: 1200V, ID: 53A, RDS(on) 42mΩ, características, aplicações, SOT-227, MC40UZ12ST

1200V Módulo de Potência MOSFET de SiC, VDS: 1200V, ID: 53A, RDS(on) 42mΩ, características, aplicações, SOT-227, MC40UZ12ST

1/ 6

Favoritos

1200V Módulo de Potência MOSFET de SiC, VDS: 1200V, ID: 53A, RDS(on) 42mΩ, características, aplicações, SOT-227, MC40UZ12ST

US$ 2,75

1 000 Peças (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Certificação: RoHS

Função: Mudar Transistor

Material: Silício

Embalagem: embalagem de plástico

Padrão: personalizado

Marca Registrada: sr.

35A, 600V Diodo de Lata 356

35A, 600V Diodo de Lata 356

35A, 600V Diodo de Lata 356

35A, 600V Diodo de Lata 356

35A, 600V Diodo de Lata 356

35A, 600V Diodo de Lata 356

1/ 6

Favoritos

35A, 600V Diodo de Lata 356

US$ 1,00

1 000 Peças (MOQ)

Changzhou Shunye Electronics Co., Ltd.

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Aplicação: Díodo,Frigorífico

Tecnologia de Manufatura: Semicondutor optoeletrônico

Material: Semicondutor composto

Processamento de Sinal: Digital

Tipo: Semicondutor Intrínseco

Embalagem: a granel

1200V Módulo de Potência SiC, Pacote de Diodo Duplo, IF: 2x40A, características, aplicações, SOT-227, MB80DU12FJ

1200V Módulo de Potência SiC, Pacote de Diodo Duplo, IF: 2x40A, características, aplicações, SOT-227, MB80DU12FJ

1200V Módulo de Potência SiC, Pacote de Diodo Duplo, IF: 2x40A, características, aplicações, SOT-227, MB80DU12FJ

1200V Módulo de Potência SiC, Pacote de Diodo Duplo, IF: 2x40A, características, aplicações, SOT-227, MB80DU12FJ

1200V Módulo de Potência SiC, Pacote de Diodo Duplo, IF: 2x40A, características, aplicações, SOT-227, MB80DU12FJ

1200V Módulo de Potência SiC, Pacote de Diodo Duplo, IF: 2x40A, características, aplicações, SOT-227, MB80DU12FJ

1/ 6

Favoritos

1200V Módulo de Potência SiC, Pacote de Diodo Duplo, IF: 2x40A, características, aplicações, SOT-227, MB80DU12FJ

US$ 2,96

1 000 Peças (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

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Certificação: RoHS

Função: Mudar Transistor

Material: Silício

Embalagem: embalagem de plástico

Padrão: personalizado

Marca Registrada: sr.

Módulo de Tiristor Durável Mtt570A - Design Monolítico, Alternativa Direta para Mtt570A, 570A 1600V

Módulo de Tiristor Durável Mtt570A - Design Monolítico, Alternativa Direta para Mtt570A, 570A 1600V

Módulo de Tiristor Durável Mtt570A - Design Monolítico, Alternativa Direta para Mtt570A, 570A 1600V

Módulo de Tiristor Durável Mtt570A - Design Monolítico, Alternativa Direta para Mtt570A, 570A 1600V

Módulo de Tiristor Durável Mtt570A - Design Monolítico, Alternativa Direta para Mtt570A, 570A 1600V

1/ 5

Favoritos

Módulo de Tiristor Durável Mtt570A - Design Monolítico, Alternativa Direta para Mtt570A, 570A 1600V

US$ 67,50-75,00

1 Peça (MOQ)

Zhejiang Lingshine Electric CO., Ltd

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Aplicação: Díodo,Componentes Eletrônicos de Potência

Certificação: CE

Tecnologia de Manufatura: Dispositivo discreto

Material: Semicondutor de potência

Pacote: BGA

Processamento de Sinal: Digital

50A, 1000V, Diodo Soza Cell Sc50m

50A, 1000V, Diodo Soza Cell Sc50m

50A, 1000V, Diodo Soza Cell Sc50m

50A, 1000V, Diodo Soza Cell Sc50m

50A, 1000V, Diodo Soza Cell Sc50m

50A, 1000V, Diodo Soza Cell Sc50m

1/ 6

Favoritos

50A, 1000V, Diodo Soza Cell Sc50m

US$ 1,00

1 000 Peças (MOQ)

Changzhou Shunye Electronics Co., Ltd.

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Aplicação: Díodo,Frigorífico

Tecnologia de Manufatura: Semicondutor optoeletrônico

Material: Semicondutor composto

Processamento de Sinal: Digital

Tipo: Semicondutor Intrínseco

Embalagem: a granel

35A, 400V Diodo de Pressfit para Motor 504/MP504

35A, 400V Diodo de Pressfit para Motor 504/MP504

35A, 400V Diodo de Pressfit para Motor 504/MP504

35A, 400V Diodo de Pressfit para Motor 504/MP504

35A, 400V Diodo de Pressfit para Motor 504/MP504

35A, 400V Diodo de Pressfit para Motor 504/MP504

1/ 6

Favoritos

35A, 400V Diodo de Pressfit para Motor 504/MP504

US$ 1,00

1 000 Peças (MOQ)

Changzhou Shunye Electronics Co., Ltd.

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Aplicação: Díodo,Frigorífico

Tecnologia de Manufatura: Semicondutor optoeletrônico

Material: Semicondutor composto

Processamento de Sinal: Digital

Tipo: Semicondutor Intrínseco

Embalagem: a granel

35A, 200V Diodo de Pressão para Motor MP502

35A, 200V Diodo de Pressão para Motor MP502

35A, 200V Diodo de Pressão para Motor MP502

35A, 200V Diodo de Pressão para Motor MP502

35A, 200V Diodo de Pressão para Motor MP502

35A, 200V Diodo de Pressão para Motor MP502

1/ 6

Favoritos

35A, 200V Diodo de Pressão para Motor MP502

US$ 1,00

1 000 Peças (MOQ)

Changzhou Shunye Electronics Co., Ltd.

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Tecnologia de Manufatura: Semicondutor optoeletrônico

Material: Semicondutor composto

Processamento de Sinal: Digital

Tipo: Semicondutor Intrínseco

Embalagem: a granel

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Aplicação

Processamento de Sinal

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Material

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Estrutura encapsulamento

Aplicação

Material

Método de refrigeração

Tecnologia de Manufatura

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Freqüência de trabalho

Nível de poder

Estrutura encapsulamento

Pacote

Número do lote

Estrutura

Estrutura

Tipo de blindagem

Forma

Teoria

Tamanho

Carregar

Tipo de Electricidade

Tipo

Características de protecção

Princípio de Ação

Número de Pólo

Uso

Fase

Tipo de gerador

Model

Certificação

Uso

Condições de Uso

Método de arrefecimento

Tipo de saída

Personagem

Modo de conexão

Processo De Produção

Tipo

Aplicação

Formulário de Contato Rescisão

Forma

Proteção Ambiental

Tipo de interface

Método de Instalação

Cor

Características da Empresa

Tipo de membro

Tipo de Negócio

Capacidade de P&D

Província & Região

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