| Especificação |
Tipo: sensor de pó laser;
Tipo de saída de sinal: Tipo Digital;
Material: Metal;
Personalizado: Não personalizado;
nome do produto: sensor de pm;
tipo de detecção: pm2.5,pm10,pm1.0 (μg/m³);
aplicação: escola, casa, fábrica;
meça a gama: 0~1000μG/M³;
tensão de funcionamento: dc 5v±0.1v;
corrente de funcionamento: ≤100ma (@5v fonte de alimentação);
tempo de estabilidade: ≤8s;
resolução: 1 ug/m3;
métodos de saída: saída padrão uart;
vida útil: >40,000 horas (operação contínua);
frequência de detecção: uma vez por segundo (padrão);
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Tipo: sensores fotoelétricos de feixe atravessado;
Tipo de saída de sinal: saída de transistor, coletor aberto, baseado em npn/pnp o;
Processo De Produção: Wirewound normal;
Material: o sistema de travagem antibloqueio (abs) é;
Característica: Semiconductor;
Classificação IP: IP65;
Personalizado: Não personalizado;
comprimento de onda da fonte de luz: 850 nm;
circuito de proteção: proteção contra polaridade reversa, proteção contra curto-circuito;
peso bruto de embalagem: 0.500 kg;
resistência à luz ambiente: luz do sol: max.60000lux; lâmpada incandescente: max.300;
tipo de saída: saída de transistor, coletor aberto, baseado em npn/pnp o;
forma de execução: selecione o modo claro/escuro por modelo;
circuito de protecção: proteção contra polaridade reversa, proteção contra curto-circuito;
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Tipo: sensores fotoelétricos de feixe atravessado;
Tipo de saída de sinal: saída de transistor, coletor aberto, baseado em npn/pnp o;
Processo De Produção: Wirewound normal;
Material: o sistema de travagem antibloqueio (abs) é;
Característica: Semiconductor;
Classificação IP: IP65;
Personalizado: Não personalizado;
comprimento de onda da fonte de luz: 850 nm;
circuito de proteção: proteção contra polaridade reversa, proteção contra curto-circuito;
peso bruto de embalagem: 0.500 kg;
resistência à luz ambiente: luz do sol: max.60000lux; lâmpada incandescente: max.300;
tipo de saída: saída de transistor, coletor aberto, baseado em npn/pnp o;
forma de execução: selecione o modo claro/escuro por modelo;
circuito de protecção: proteção contra polaridade reversa, proteção contra curto-circuito;
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Tipo: sensores fotoelétricos de feixe atravessado;
Tipo de saída de sinal: saída de transistor, coletor aberto, baseado em npn/pnp o;
Processo De Produção: Wirewound normal;
Material: o sistema de travagem antibloqueio (abs) é;
Característica: Semiconductor;
Classificação IP: IP65;
Personalizado: Não personalizado;
comprimento de onda da fonte de luz: 850 nm;
circuito de proteção: proteção contra polaridade reversa, proteção contra curto-circuito;
peso bruto de embalagem: 0.500 kg;
resistência à luz ambiente: luz do sol: max.60000lux; lâmpada incandescente: max.300;
tipo de saída: saída de transistor, coletor aberto, baseado em npn/pnp o;
forma de execução: selecione o modo claro/escuro por modelo;
circuito de protecção: proteção contra polaridade reversa, proteção contra curto-circuito;
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Tipo: sensores fotoelétricos de feixe atravessado;
Tipo de saída de sinal: saída de transistor, coletor aberto, baseado em npn/pnp o;
Processo De Produção: Wirewound normal;
Material: o sistema de travagem antibloqueio (abs) é;
Característica: Semiconductor;
Classificação IP: IP65;
Personalizado: Não personalizado;
comprimento de onda da fonte de luz: 850 nm;
circuito de proteção: proteção contra polaridade reversa, proteção contra curto-circuito;
peso bruto de embalagem: 0.500 kg;
resistência à luz ambiente: luz do sol: max.60000lux; lâmpada incandescente: max.300;
tipo de saída: saída de transistor, coletor aberto, baseado em npn/pnp o;
forma de execução: selecione o modo claro/escuro por modelo;
circuito de protecção: proteção contra polaridade reversa, proteção contra curto-circuito;
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