Disco de carboneto de silício (pastilha de SiC) Tipo N (2/3/4/6/8 polegadas) de 4 h/6 h para substrato de cristal único de radiofrequência fotovoltaico Teste experimental

Referência Preço FOB: US$ 1,00-100,00 / Peça
Quantidade Mínima: 1 Peça
Quantidade Mínima Referência Preço FOB
1 Peça US$ 1,00-100,00
Porto: Shanghai, China
Pacote de Transporte: Box
Condições de Pagamento: L/C, T/T, D/P, Western Union, Paypal, Money Gram

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Descrição de Produto

Informações da Empresa

Endereço: No. 1 Qingguo Road, Wuxi, Jiangsu, China
Tipo de Negócio: Fabricante / Fábrica
Escala de Negócios: Aparelhos Eletrônicos de Consumo, Elétrico & Eletrônico, Equipamentos Industriais & Componentes, Instrumentos & Medidores, Químicas
introdução da companhia: A JXT é uma empresa de tecnologia que foi fundada em 2012. A JXT desenvolve e fabrica placas de alta qualidade, incluindo carboneto de silício (SiC), nitreto de gálio (GaN), substratos de safira, substratos de diamante para CVD e substratos de óxido de gálio (Ga2O3).

A JXT continua a prestar atenção às produções, I&D e inovação tecnológica, o que permite à JXT fornecer uma gama mais ampla de produções, tais como GaN em Sapphire, GaN em silício, GaN em SiC, GaN em diamante, si em safira e outras estruturas de pastilhas de wafers.

A JXT tem uma equipe de mais de 50 pessoas, das quais mais da metade são técnicos de produção e pesquisadores. Todos eles têm mais de 5 ou até 10 anos de experiência no campo dos materiais semicondutores e garantem a estabilidade e a confiabilidade dos produtos JXT.

A JXT está sempre preocupada com os materiais semicondutores mais recentes e investe muito em pesquisa e desenvolvimento de tecnologia, de modo a melhorar a qualidade dos produtos e satisfazer os requisitos dos clientes.
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